额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,2.5mA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | SOT-363 |
DDC143TU-7-F是一款高性能数字晶体管,采用先进的制造工艺,结合了集成电路的优势和晶体管的特性,适合广泛的应用场景。该产品镶嵌在紧凑的SOT-363封装内,集成了两个NPN预偏压式晶体管,最大额定功率为200mW,集电极电流(Ic)的最大值为100mA,集射极击穿电压(Vce)为50V。这种设计使得DDC143TU-7-F具备了良好的电气性能和兼容性,非常适合在现代电子设计中应用。
DDC143TU-7-F能够广泛应用于移动电子产品、家用电器、工业控制系统、通信设备等。尤为适合需要高集成度和高效率的电源管理相关电路设计。由于其优秀的小型化特性,也特别适合用于空间有限的消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑及可穿戴设备。
在众多数字晶体管产品中,DDC143TU-7-F凭借其稳定的性能和可靠性脱颖而出。其高频响应和低功耗特性使其在需要开关频率高、效率要求高的应用场景中表现优异。此外,Diodes(美台)的良好口碑也为其产品质量提供了有力保证。
DDC143TU-7-F是一款功能强大、性能卓越的数字晶体管,凭借其宽泛的电气性能、极低的功耗和便于设计小型化的特性,必将满足现代电子设备对高效、高集成度组件的需求。随着电子行业的不断发展,这种高级别的组件将继续推动科技进步,为消费者带来更高效、更便捷的设备体验。无论是在新产品开发还是在现有系统的升级中,DDC143TU-7-F都是值得信赖的选择。