BZV55-C4V7,115
BZV55-C4V7,115参数
| 精度 | ±5% | 稳压值(典型值） | 4.7V |
| 反向漏电流 | 3uA @ 2V | 最大功率 | 500mW |
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V | 容差 | ±5% |
| 功率 - 最大值 | 500mW | 阻抗（最大值）(Zzt) | 80 Ohms |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 3µA @ 2V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 供应商器件封装 | LLDS；MiniMelf |
BZV55-C4V7,115手册
BZV55-C4V7,115概述
BZV55-C4V7,115 产品概述
简介
BZV55-C4V7,115是一款由Nexperia（安世）提供的稳压二极管，旨在为电子设计提供可靠的电压参考和过压保护。其标称稳压值为4.7V，采用表面贴装型LLDS或MiniMelf封装，是符合现代电子设备小型化和高效能要求的理想选择。这种稳压二极管广泛应用于消费电子、工业控制及电源管理等领域。
技术特性
电压与稳压精度：BZV55-C4V7,115的标称稳压值为4.7V，具有±5%的精度，适合用于对电压稳定性要求较高的电路。这使得其在多种应用场景中能提供稳定的工作条件，降低电路设计中的不确定性。
反向漏电流：该二极管在2V条件下反向漏电流仅为3µA，这是极低的漏电流特性有助于提高电路的效率，减少电源耗能。这对于电池供电的装置尤为重要，有助于延长电池使用寿命。
功率处理能力：BZV55-C4V7,115能够承受高达500mW的最大功率，适应于多种高功率应用。从而为电源与信号线提供有效的保护，防止因过压而导致的组件损坏。
阻抗特性：其最大动态阻抗（Zzt）为80 Ohms，确保其在负载变化时能够快速响应，稳定输出电压，满足动态负载要求。
工作温度范围：BZV55-C4V7,115可在-65°C至200°C的广泛温度范围内正常工作，这使得其可以应用于极端环境中，特别是在航天、军事和高温工业等领域中。
封装与安装类型：其采用的DO-213AC、Mini-Melf、SOD-80等封装形式，提供了便于自动化布局的表面贴装安装类型。这种设计有助于提升生产效率和降低制造成本，同时确保设备在小型化趋势中的可行性。
应用领域
BZV55-C4V7,115稳压二极管广泛应用于多种电子领域，其主要应用包括：
- 电源管理：在开关电源和线性电源中提供过压保护，确保电流稳定输出。
- 消费电子：用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备中，以保护敏感的集成电路和电源模块。
- 工业控制：在各种传感器和控制电路中使用，以降低电路故障风险，增强系统的可靠性。
- 信号调理：在通信设备和数据采集系统中，通过稳压控制信号强度，保证信号的可靠传输。
结论
BZV55-C4V7,115是一款高性能稳压二极管，结合了优异的电压精度、极低的反向漏电流、高功率处理能力及宽广的温度范围，适用于多种现代电子应用。其紧凑的封装设计和表面贴装特性使其成为电子制造业中出色的元器件选择，能够在确保可靠性和效率的同时，满足日益增长的市场需求。通过选择BZV55-C4V7,115，设计工程师能够为他们的设计提供可靠的电压稳定性，增强最终产品的性能与寿命。