BZV55-B18,115
BZV55-B18,115参数
| 精度 | ±2% | 稳压值(典型值） | 17.6V(Min) ~ 18.4V(Max) |
| 最大功率 | 500mW | 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 18V |
| 容差 | ±2% | 功率 - 最大值 | 500mW |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 45 Ohms | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50nA @ 12.6V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA | 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
| 供应商器件封装 | LLDS；MiniMelf |
BZV55-B18,115手册
BZV55-B18,115概述
产品概述：BZV55-B18,115 稳压二极管
简介
BZV55-B18,115 是一款由安世半导体（Nexperia）制造的高性能稳压二极管，其设计旨在为各种电子电路提供稳定的电压参考。作为一种独立式稳压二极管，BZV55-B18,115 具有较高的精度和宽广的工作温度范围，使其在一些要求严格的应用中表现出色。
基本参数
- 标称稳压值（Vz）: 18V
- 稳压范围: 17.6V (最小) 到 18.4V (最大)
- 精度: ±2%
- 最大功率: 500mW
- 阻抗（Zzt）: 45 Ohms（最大值）
- 反向泄漏电流（Izk）: 50nA (@12.6V)
- 正向电压（Vf）: 900mV (@10mA)
- 工作温度范围: -65°C 至 200°C
封装和安装类型
BZV55-B18,115 采用表面贴装型（SMD）封装，具体封装类型为 DO-213AC 和 MINI-MELF（也称为 LLDS 封装）。这种紧凑的封装设计适合于空间有限的电路板上，且易于自动化的生产过程。
应用场景
BZV55-B18,115 稳压二极管非常适用于多种应用场景，例如：
电源管理：用于提供稳定的电压参考，使线性电源和开关电源之间的配合更加高效稳定。
过压保护：在可能遭遇电压尖峰的电路中，BZV55-B18,115 能有效限制电压，保护敏感元件。
信号调节：可用于信号电路中的电压调节，确保信号处理的可靠性。
消费电子：在智能手机、家用电器及其他电子设备中，提供必要的电压稳定。同时，凭借其低反向泄漏电流，适合低功耗高效产品。
性能优点
高稳定性: 该产品在不同的工作条件下都能够保持良好的稳压性能，确保电路的稳定性。
高温环境适应性: BZV55-B18,115 的工作温度范围广，能够在极端环境下正常工作，适合各种工业应用。
小型化设计: 表面贴装封装设计使其占用空间小，适合当今电子产品的小型化趋势。
低功耗: 反向泄漏电流仅为 50nA，显著降低功耗，提高电源效率。
结论
BZV55-B18,115 的设计使其在电子工程中成为理想的稳压组件。其卓越的性能、多样的应用场景以及高可靠性，使其成为电子设备设计师在选择稳压二极管时的强力选择。无论是在消费电子、通信领域，还是工业电源管理，BZV55-B18,115都可以以其出色的性能支持各种应用需求。对于需要高精度和稳定电压输出的电路设计，BZV55-B18,115 将是一个值得信赖的解决方案。