BUK9Y19-100E,115
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
LFPAK56，Power-SO8
包装 :
编带
重量 :
0.126g
描述 :
场效应管(MOSFET) 167W 100V 56A 1个N沟道 SOT-669
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
4.84按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.84
--
100+
￥4.02
--
750+
￥3.66
--
1500+
￥3.39
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
BUK9Y19-100E,115参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 56A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.1V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 18mΩ @ 15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 167W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 56A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 39nC @ 5V | Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5085pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 167W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 | 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
BUK9Y19-100E,115手册
BUK9Y19-100E,115概述
BUK9Y19-100E,115 产品概述
1. 产品简介
BUK9Y19-100E,115 是一款高性能的N沟道MOSFET，专为需要高效率和可靠性的电子应用而设计。其主要优势在于其低导通电阻、高漏源电压和大电流承载能力，使其在各种电源管理和开关应用中表现优异。由全球知名的半导体制造商Nexperia（安世）提供，BUK9Y19-100E,115 常用于汽车电子、工业控制、消费电子等领域。
2. 主要参数
- 漏源电压（Vdss）：该MOSFET的最大漏源电压为100V，这使其适用于需要高电压开关的应用。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C环境下，BUK9Y19-100E,115能支持高达56A的连续漏极电流，确保在高载荷工作条件下稳定运行。
- 栅源极阈值电压：其栅源极阈值电压为2.1V @ 1mA，表明该器件在开启时所需的最低栅电压较低，便于与多种逻辑电平兼容。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：在15A和10V栅电压下，BUK9Y19-100E,115的漏源导通电阻仅为18mΩ，极大降低了开关损耗，提高了电源的运行效率。
- 最大功率耗散：在25°C的环境温度下，其最大功率耗散为167W，这保障了其在高功率应用中的稳定性和安全性。
- 工作温度范围：该器件能够在-55°C至175°C的广泛温度范围内稳定工作，适应极端的环境条件。
3. 应用领域
BUK9Y19-100E,115 适用于多种电子元件的设计和应用，特别是在以下几个重要领域中广受青睐：
- 汽车电子：用于电动汽车和传统汽车的动力管理系统，电动助力转向（EPS），以及各类传感器和致动器。
- 电源管理：在开关电源（SMPS）中作为主要的开关元件，能够高效地调节电压并降低能耗。
- 通信设备：在移动通信及网络设备中，用作信号放大器和开关，确保信号的稳定和高效传输。
- 工业控制：用于电机驱动和其他自动控制系统，帮助实现高效的能源转换和减少机械断裂。
4. 封装及安装
BUK9Y19-100E,115 采用多种封装类型，包括LFPAK56和Power-SO8，便于在多种PCB设计中进行表面贴装。其SC-100和SOT-669的封装形式，适合高密度的恩智浦材料设计，可在有限空间内实现良好的热管理和电气性能。
5. 性能优势
- 低导通损耗：低Rds(on)提供更小的热耗散，能够提高系统整体效率，是高功率和高频应用的理想选择。
- 高可靠性：广泛的工作温度范围和优秀的电流承载能力，使得BUK9Y19-100E,115能够在严酷条件下保持高效运行。
- 卓越的开关特性：快速的开关响应时间和低栅极电荷(Qg)确保了高频操作下的效率，使其在开关电源和DC-DC转换器中的使用愈加广泛。
6. 结论
BUK9Y19-100E,115 是一款出色的N沟道MOSFET，不仅具备卓越的电气特性，还具有多样的应用场合。无论是在电源管理、汽车电子还是工业控制等领域，该产品都能够满足高效、安全和可靠的需求，是现代电子元件设计中不可或缺的重要选择。