漏源电压(Vdss) | 60V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 360mA |
栅源极阈值电压 | 1.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.6Ω @ 300mA,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 350mW | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 360mA(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.6 欧姆 @ 300mA,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | .8nC @ 4.5V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 50pF @ 10V | 功率耗散(最大值) | 350mW(Ta),1.14W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | TO-236AB | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
BSS138P,215 是一种高性能的 N 型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由著名的半导体制造商 Nexperia(安世半导体)生产。此款 MOSFET 设计用于中低功率电子应用,适合电路开关、线性调节和信号放大等多种用途。凭借其优越的电气特性和广泛的工作温度范围,BSS138P,215 在消费电子、工业控制和汽车电子等领域具有广泛的应用前景。
BSS138P,215 主要应用于以下几个领域:
在使用 BSS138P,215 时,设计师需要注意其漏源电流和温度特性,确保在实际应用中不超过其额定参数。此外,由于此器件的栅极电荷通常在 Qg = 0.8nC @ 4.5V,因此在高频开关应用中,设计者需要考虑驱动电路的能力,以确保 MOSFET 能够快速开关,降低开关损耗并提高效率。
总的来说,BSS138P,215 是一款多功能的 N 型沟道 MOSFET,尤其适合在需要高效电源开关和信号调节的应用中。其广泛的工作温度范围、优良的电气特性和紧凑的 SOT-23 封装使其成为工程师和设计师们理想的选择。无论是在消费电子、智能家居还是工业控制,BSS138P,215 皆能满足现代电路的多种需求。