BSS123W-7-F
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT323
包装 :
编带
重量 :
0.03g
描述 :
场效应管(MOSFET) 200mW 100V 170mA 1个N沟道 SOT-323-3
库存 :
15209(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
0.283按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.283
--
200+
￥0.182
--
1500+
￥0.158
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3000+
￥0.14
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
BSS123W-7-F参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 170mA |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 6Ω @ 170mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 200mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 170mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 欧姆 @ 170mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 60pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 200mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
BSS123W-7-F手册
BSS123W-7-F概述
产品概述：BSS123W-7-F N沟道MOSFET
一、基本介绍
BSS123W-7-F是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用了先进的制造工艺，适合多种电子电路应用。此器件具备出色的漏源电压能力、低导通电阻特性及优良的功率耗散性能，广泛应用于开关电源、信号开关、线性调节器以及各种消费电子产品中。
二、主要特性
- 漏源电压（Vdss）: 可承受高达100V的漏源电压，使其能够适应多个电源电压等级的应用。
- 连续漏极电流（Id）: 25°C下的连续漏极电流为170mA，提供了充足的工作电流能力。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 在1mA下的阈值电压为2V，允许更低的控制电压进行驱动，兼容5V或更低电压的应用。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 较低的导通电阻为6Ω（在170mA，10V条件下测试），有助于减少功耗，提高电路效率。
- 功率耗散（Pd）: 该器件在25°C时的最大功率耗散为200mW，能够有效管理热量，保证长期稳定运行。
- 工作温度范围: 工作温度范围为-55°C至150°C，适合苛刻环境下的应用。
- 封装类型: SOT-323，具有较小的体积和良好的散热特性，便于在高密度电路板上安装。
三、技术规格
- 类型: N沟道FET
- 最大栅源电压（Vgs）: ±20V，提供较高的设计灵活性，适应多种外围电路。
- 输入电容（Ciss）: 最大输入电容60pF（在25V下测试），能够有效降低高频时的开关损耗。
- 安装类型: 表面贴装（SMD），方便自动化生产和设备的小型化设计。
四、应用场景
由于BSS123W-7-F的优良特性，它适合应用于多个方面，包括但不限于：
- 开关电源: 在DC-DC转换器中担当主开关管，能够快速开关以提高电源的效率。
- 信号开关: 用于信号路径的开关，可以用在音频和视频设备中的选择开关。
- 驱动电路: 驱动继电器、LED或其他负载，具有良好的传导能力和快速响应特性。
- 传感器模块: 在低功耗传感器系统中，兼顾低电压操作和高频性能，提升系统整体性能。
- 消费电子产品: 适合智能手机、平板电脑、笔记本电脑等智能设备，作为功率管理和信号调理的核心组件。
五、结论
BSS123W-7-F作为一款高效、可靠的N沟道MOSFET，凭借其在电子工程中的潜力和多样化的应用领域，它能够在当今持续发展的市场中提供可靠的解决方案。无论是工业应用还是消费电子，BSS123W-7-F将成为设计师和工程师的重要选择，帮助他们实现高效能及紧凑设计的目标。随着电子产品不断朝着小型化、高性能方向发展，该产品将有助于推动技术的革新与进步。