封装/外壳 | 8-PowerTDFN | FET类型 | N沟道 |
漏源极电压(Vdss) | 60V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A(Ta),100A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.9 毫欧 @ 50A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 36µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 27nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2000pF @ 30V | 功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),69W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-6 |
BSC039N06NSATMA1 是一款由英飞凌(Infineon)生产的高性能 N 通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),封装形式为 8-Power TDFN(TDSON-8),专为高效率和高电流应用而设计。其广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域,因其优异的电气性能和热特性,能够在苛刻环境下保持稳定的工作。
BSC039N06NSATMA1 适用于广泛的应用领域,包括但不限于:
BSC039N06NSATMA1 是一款灵活且高性能的 N 通道 MOSFET,具有极低的导通电阻和可靠的功率处理能力,适合高效能的电子应用。这款 MOSFET 能够在严苛的环境中维持稳定的性能,是设计电源方案时的理想选择。无论是在工业、消费电子还是汽车应用中,其优秀的性能都能够满足设计对效率和稳定性的苛刻要求。