BSC039N06NSATMA1 产品实物图片
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BSC039N06NSATMA1

商品编码: BM0000281593
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TDSON-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
表面贴装型-N-通道-60V-19A(Ta)-100A(Tc)-2.5W(Ta)-69W(Tc)-PG-TDSON-8-6
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
5.65
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.65
--
100+
¥4.71
--
1250+
¥4.36
--
2500+
¥4.16
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSC039N06NSATMA1参数

封装/外壳8-PowerTDFNFET类型N沟道
漏源极电压(Vdss)60V栅源电压 Vgss±20V
安装类型表面贴装(SMT)FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)19A(Ta),100A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.9 毫欧 @ 50A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.8V @ 36µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)27nC @ 10VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2000pF @ 30V功率耗散(最大值)2.5W(Ta),69W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)供应商器件封装PG-TDSON-8-6

BSC039N06NSATMA1手册

BSC039N06NSATMA1概述

产品概述:BSC039N06NSATMA1

引言

BSC039N06NSATMA1 是一款由英飞凌(Infineon)生产的高性能 N 通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),封装形式为 8-Power TDFN(TDSON-8),专为高效率和高电流应用而设计。其广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域,因其优异的电气性能和热特性,能够在苛刻环境下保持稳定的工作。

基础参数

  • 封装类型: 8-Power TDFN (TDSON-8),优化了PCB面积,占用空间小,适合高密度布板设计。
  • FET 类型: N 沟道,这种配置能提供优越的导通性能与低导通电阻,适合各种开关信号的控制。
  • 漏源极电压(Vdss): 60V,允许在最大 60V 工作电压下稳定运行。
  • 栅源电压(Vgss): ±20V,保证了在栅极驱动中有很大的设计灵活性。
  • 工作温度: -55°C 至 150°C,适用于极端环境中的应用,确保部件的可靠性。

电流规格

  • 25°C 时的连续漏极电流(Id): 19A(连接到 PCB 的环境温度下),或达 100A(连接到散热片的环境温度下),这表明其在高功率应用下的能力。

电气性能

  • 导通电阻(Rds On): 不同 Id 和 Vgs 下的最大值为 3.9 毫欧(在 50A 和 10V 容量下),适合高效率的开关应用。
  • 阈值电压(Vgs(th)): 最大值为 2.8V(在 36µA 下),指示了设备在低栅压下仍能有效开启,满足低功耗需求。
  • 栅极电荷(Qg): 最大值为 27nC(在 10V 驱动下),表明其具有较低的驱动功耗,有利于提高开关频率。

输入及输出特性

  • 输入电容(Ciss): 最大为 2000pF(在 30V 下),适合快速开关操作。
  • 功率耗散: 允许最大功率耗散为 2.5W(环境温度 Ta)和 69W(在散热条件 Tc 下),适合多种发热环境的应用设计。

应用领域

BSC039N06NSATMA1 适用于广泛的应用领域,包括但不限于:

  1. 开关电源: 由于其高效率和低损耗特性,适合用于 DC-DC 转换。
  2. 电机驱动: 在电机控制和驱动系统中,提供高电流和快速响应能力。
  3. 汽车电子: 在电源管理系统中,可实现高性能的电压转换和控制功能。
  4. 消费电子: 可以在电池供电的设备中使用,提供有效的电源管理方案。

总结

BSC039N06NSATMA1 是一款灵活且高性能的 N 通道 MOSFET,具有极低的导通电阻和可靠的功率处理能力,适合高效能的电子应用。这款 MOSFET 能够在严苛的环境中维持稳定的性能,是设计电源方案时的理想选择。无论是在工业、消费电子还是汽车应用中,其优秀的性能都能够满足设计对效率和稳定性的苛刻要求。