漏源电压(Vdss) | 60V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 250mA |
栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 5Ω @ 200mA,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 300mW | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 250mA(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 5 欧姆 @ 200mA,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 50pF @ 10V |
功率耗散(最大值) | 300mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
BS870-7-F 是一款高性能的 N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其设计旨在满足各种电子设备中对高效功率开关及低功耗的需求。这款 MOSFET 具有额定漏源电压(Vdss)为 60V,连续漏极电流(Id)为 250mA,适用于多种工业和消费电子产品中。
BS870-7-F 采用表面贴装型 (SMD) 封装,具体封装型号为 SOT-23。这种紧凑的封装增强了电路板的布局灵活性,使得该元件非常适合需要小体积、高集成度的电子产品。对于空间有限的设备,SOT-23 封装提供了必要的安装便利性。
BS870-7-F 可广泛应用于以下领域:
总体上,BS870-7-F 是一款具有优异性能的小型 N沟道 MOSFET,非常适合各类对功耗和空间有严格要求的应用。该产品不仅具备较高的电气性能,且安装方便,适合快速集成。同时,其广泛的工作温度范围和良好的长期稳定性,为电子产品的可靠性提供了保障。无论在低功耗领域还是更为复杂的功率管理系统中,BS870-7-F 的表现都将非常出色,成为工程师们的理想选择。