额定功率 | 1W | 集电极电流Ic | 1A |
集射极击穿电压Vce | 20V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 100mA,1A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 160 @ 500mA,1V | 功率 - 最大值 | 1W |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-243AA |
供应商器件封装 | SOT-89-3 |
产品名称: BCX6825TA
类型: NPN 晶体管
封装: SOT-89 (TO-243AA)
制造商: DIODES (美台)
BCX6825TA 是一款性能优越的NPN晶体管,具有以下基本参数:
高额定功率和电流承受能力: BCX6825TA 面向需要相对高功率的应用,能够支持最大 1W 的功率输出和高达 1A 的集电极电流,这使得它非常适用于驱动和开关应用。
低饱和压降: Vce 饱和压降仅 500mV 使其在低电压条件下显示出较高的效率,减少了功率损耗,使得设备能更有效地运行。
优异的增益特性: BriX6825TA 的 hFE 不仅在 500mA 的集电极电流下可高达 160,显示出良好的动态增益特性,能够满足多种应用,包括放大和开关电路。
宽频率响应: 最高可达 100MHz 的频率响应使得其在高频开关应用中的表现也非常出色,例如 RF 放大器和其他频率相关的电路。
广泛的工作温度范围: 该晶体管的工作温度范围从 -65°C 到 150°C,提供了极佳的耐温性能,适合高温或低温环境下的电子设备。
解耦与便捷的表面贴装设计: SOT-89 封装设计使得该器件易于集成到现代电子电路中,支持表面贴装工艺,便于大规模生产与自动化组装。
由于其优越的电气特性与强大的适用性,BCX6825TA 可广泛应用于以下领域:
BCX6825TA 作为一款高性能的NPN 晶体管,以其卓越的电气特性和良好的可靠性,成为各种电子设备的理想选择。它结合了高功率、高电流的运用能力、低饱和压降及宽工作温度范围,适合多种应用场景,无论是工业控制还是消费电子产品。无论是研发还是批量生产,BCX6825TA 都是您的优秀选择。