晶体管类型 | NPN | 集电极电流Ic | 1A |
集射极击穿电压Vce | 60V | 额定功率 | 1.35W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 63 @ 150mA,2V | 功率 - 最大值 | 1.35W |
频率 - 跃迁 | 180MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-243AA |
供应商器件封装 | SOT-89 |
产品概述:BCX55,115 NPN 晶体管
BCX55 和 BCX115 是由安世(Nexperia)生产的高性能 NPN 晶体管,设计用于多种电子电路应用。这些晶体管在设计时充分考虑了电子设备的功效和稳定性,使其成为低功率应用中的理想选择。以下将详细介绍其关键参数、性能特点以及实际应用场景。
BCX55 和 BCX115 具有以下主要电气特性:
BCX55 和 BCX115 的最大集电极电流为 1A,适合用于需要较大电流驱动的应用领域。例如,它们可以用于推动小型电机、继电器或 LED 组件。流过晶体管的电流通过合理的基极电流(Ib)控制,使得这款晶体管在低功耗设备中表现出色。
此系列晶体管的集射极击穿电压 Vce 可达 60V,在很多中低压场合具有良好的适用性和安全性。此外,其最大功率输出为 1.35W,使其在绝大多数应用场合具备足够的功率余量。
在使用中,饱和压降(Vce(sat))极为重要,尤其是在开关电源和信号处理电路中。这款晶体管在50mA和500mA的电流下,最大饱和压降为500mV,显示出出色的开关特性。较低的饱和电压意味着当晶体管处于导通状态时,能耗较低,有助于提高整体电源效率。
BCX55 和 BCX115 具有高达180MHz的跃迁频率,使其非常适合用于高频信号应用,如射频放大器和高频开关电路。这一特点使得该晶体管不仅可以用于数字电路,还能用于模拟电路中,满足更高频带宽的需求优势。
随着工作温度的上升,BCX55 和 BCX115依旧可以在150°C的环境下安全运行,表明其良好的热稳定性。这使得该系列晶体管在高温环境下的表现尤其可靠,适合用于工业设备、汽车电子及高温应用场合。
BCX55 和 BCX115 的应用非常广泛。以下是几个常见的应用场景:
BCX55 和 BCX115 NPN 晶体管凭借其高性能的工作特性、可靠的电气参数和广泛的应用领域,成为现代电子设计中的重要选择。无论是在消费电子、工业控制还是电源管理中,这些晶体管都能以其出色的表现满足各种需求。其次,Nexperia 作为知名的电子元器件制造商,其产品在质量和可靠性上均得到了市场的高度认可,为设计师和工程师提供了更为安心的选择。因此,BCX55 和 BCX115 的引入,将大大提升设计的灵活性和效率。