BCP53T1G 产品实物图片
BCP53T1G 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BCP53T1G

商品编码: BM0000281565
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-223
包装 : 
编带
重量 : 
0.202g
描述 : 
三极管(BJT) 1.5W 80V 1.5A PNP SOT-223-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.45
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.45
--
50+
¥1.11
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

BCP53T1G参数

晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1.5A
电压 - 集射极击穿(最大值)80V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)40 @ 150mA,2V
功率 - 最大值1.5W频率 - 跃迁50MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装SOT-223

BCP53T1G手册

empty-page
无数据

BCP53T1G概述

产品概述:BCP53T1G PNP 晶体管

概述

BCP53T1G 是由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款 PNP 型晶体管,广泛应用于电子设备中的功率放大、开关电路以及信号调理等领域。凭借其优异的电气性能和广泛的工作温度范围,BCP53T1G 特别适合用于要求严格的工业和商业电子应用。

产品参数

  • 晶体管类型:PNP
  • 最大集电极电流 (Ic):1.5A
  • 集射极击穿电压(最大值, Vce):80V
  • 饱和压降 (Vce saturation):500mV @ 50mA,500mA
  • 集电极截止电流 (ICBO):100nA
  • 直流电流增益 (hFE):至少 40 @ 150mA,2V
  • 最大功率 (Ptot):1.5W
  • 频率特性:跃迁频率为 50MHz
  • 工作温度范围:-65°C 至 150°C
  • 封装类型:SOT-223
  • 安装类型:表面贴装(SMD)
  • 封装外形: TO-261-4,TO-261AA

性能特征

BCP53T1G 的设计使其在多个电气特性中表现出色。在电流增益方面,此晶体管提高了输出功率的能力,使其在驱动负载时更加高效。最小的直流电流增益(hFE)为 40,确保了即使在较低基极电流条件下,也能实现足够的集电极电流,增强了其使用灵活性。

在信号处理应用中,集电极截止电流 (ICBO) 仅为 100nA,令 BC53T1G 在提升信号质量方面表现更佳,尤其是在对低信号电路的驱动中。此外,BCP53T1G 的最大功率为 1.5W,适合大多数低功率应用,进一步拓宽了其应用领域。

适用场景

BCP53T1G 晶体管非常适合用于开关电路和线性放大应用。例如:

  • 开关电路:可用在马达驱动、灯光控制、电源配电等领域。由于其良好的饱和电压特性,BCP53T1G 能够在低功耗条件下高效控制较大的负载。
  • 信号放大:在音频放大和射频放大应用中,其较高的频率特性(50MHz)使其能够传输高频信号,且保持信号的强度和清晰度。

此外,强大的温度适应性(-65°C 到 150°C)使其可在极端环境条件下运行,因此适伙伴于汽车、航天及军事应用。在这些环境中,晶体管的稳定性和可靠性是至关重要的。

封装与安装

BCP53T1G 的 SOT-223 封装设计适合表面贴装技术(SMD),便于在自动化生产线上快速集成到电路板中。该封装不仅节省空间,还提供了良好的热管理功能使得晶体管在工作过程中能够高效散热,进一步增强了器件的可靠性。

结论

BCP53T1G 是一款高性能的 PNP 晶体管,具有卓越的电气性能和宽广的应用范围。无论是作为开关还是放大器,BCP53T1G 都能满足现代电子电路的多样需求。在日益复杂和对性能要求越来越高的电子设计环境中,BCP53T1G 显然是一个值得推荐的理想选择。