BC856BW-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BC856BW-7-F

商品编码: BM0000281563
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
三极管(BJT) 200mW 65V 100mA PNP SOT-323-3
库存 :
1141(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.557
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.557
--
200+
¥0.185
--
1500+
¥0.116
--
3000+
¥0.08
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC856BW-7-F参数

额定功率200mW集电极电流Ic100mA
集射极击穿电压Vce65V晶体管类型PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA电压 - 集射极击穿(最大值)65V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)650mV @ 5mA,100mA电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)220 @ 2mA,5V功率 - 最大值200mW
频率 - 跃迁200MHz工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SOT-323

BC856BW-7-F手册

BC856BW-7-F概述

产品概述:BC856BW-7-F 三极管

概述

BC856BW-7-F 是一款高性能的PNP型双极性晶体管 (BJT),其主要旨在满足各种电子设备中的放大和开关需求。该型号由DIODES(美台)公司制造,具备良好的电气特性和广泛的应用领域。其采用SOT-323封装形式,适合表面贴装,便于现代电子产品的紧凑设计。

主要参数

  • 类型: PNP型晶体管
  • 额定功率: 200mW
  • 集电极电流(Ic): 100mA
  • 集射极击穿电压(Vce): 65V
  • 截止电流(ICBO): 最大值为15nA
  • 电流 - 集电极饱和压降: 最大650mV @ 5mA,100mA
  • DC电流增益(hFE): 最小220 @ 2mA,5V
  • 频率 - 跃迁: 200MHz
  • 工作温度范围: -65°C ~ 150°C (TJ)

封装与安装

BC856BW-7-F采用SOT-323封装,外形小巧,便于在高密度电路板上使用。表面贴装的设计使其适合现代自动化生产线,用户可在PCB上实现高效的焊接和装配。

应用场景

BC856BW-7-F因其性能特点,广泛应用于低频放大器、开关电路、信号调理电路等场景。具体应用包括:

  1. 音频放大器: 由于其良好的增益和带宽特性,该晶体管非常适合用于音频放大器设计中。
  2. 开关电路: 适用于各类电源开关和信号开关,能够以较小的控制信号(Ib)驱动较大的负载(Ic)。
  3. 小信号放大器: 适合用于RF电路和小功率信号中,提供高增益和良好的频率响应。

性能优势

  1. 高电流增益: 具备最小220的电流增益,意味着在小输入信号下可以输出较强的信号,适合于各种需要高增益的场合。
  2. 宽工作温度范围: 该三极管的工作温度范围从-65°C到150°C,使其能够在极端环境下稳定运行,非常适合汽车电子、航空航天等特殊领域。
  3. 低截止电流: ICBO达到了15nA,显示出其良好的漏电流性能,适合对漏电流有严格要求的应用。
  4. 高频特性: 可支持高达200MHz的跃迁频率,使其符合现代无线通信设备对快速开关及信号处理的需求。

设计注意事项

在使用BC856BW-7-F时,需要注意以下几点:

  • 电流和电压的限制: 确保在使用过程中不超过额定电流(Ic)和集射极击穿电压(Vce),以避免设备损坏。
  • 热管理: 虽然该三极管具备200mW的功率处理能力,但在高温环境下工作时,需考虑热管理解决方案以确保长期稳定运行。
  • PCB布局: 在设计电路板时,PCB的布局应合理,以减少寄生电感和电容对高频性能的影响。

结论

BC856BW-7-F凭借其优异的电气特性、宽广的应用范围及小巧的封装,是现代电子产品设计中一款理想的PNP型三极管。无论在音频放大、开关电路还是小信号处理等领域,该元件均能提供稳定可靠的性能,助力设计师实现创新和高效的电子系统。