额定功率 | 250mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 65V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 65V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 650mV @ 5mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 125 @ 2mA,5V | 功率 - 最大值 | 250mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
BC856,215 是一款高性能的PNP型双极性晶体管(BJT),专为低功耗和高频应用而设计。该晶体管以其出色的电气性能和可靠性,被广泛应用于各类电子设备中,尤其是在轻载驱动电路和信号放大应用中表现卓越。它的额定功率为250mW,集电极电流最大值为100mA,集射极击穿电压为65V,适合多个应用场景。
BC856,215 广泛应用于消费电子、通信、工业控制和汽车电子等多个领域。主要应用场景包括:
BC856,215 凭借其出色的电气性能、小型化的封装和广泛的应用范围,是设计师在选择PNP型晶体管时的一款理想选择。无论是在消费电子、通信设备,还是在更为复杂的工业和汽车应用中,BC856,215 都能满足各种需求,并提供持续的可靠性和高效的信号处理能力。选择BC856,215,使设计更出色、性能更卓越、效率更高。