BAW56LT1G
BAW56LT1G参数
| 二极管配置 | 1 对共阳极 | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管） | 200mA（DC） | 二极管类型 | 标准 |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 150mA |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 70V | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 2.5µA @ 70V | 反向恢复时间 (trr) | 6ns |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
BAW56LT1G手册
BAW56LT1G概述
BAW56LT1G 是由安森美（ON Semiconductor）生产的一款高性能开关二极管，采用 SOT-23-3（TO-236）封装。这款二极管特别适合于小信号应用，其优秀的电气性能和紧凑的封装设计，使其在现代电子电路中广泛应用。以下是对 BAW56LT1G 产品的详细概述。
产品特性
配置与类型 BAW56LT1G 是一个共阳极的二极管配置，包含一对二极管。这种配置能够简化电路设计，减少所需的元件数量，从而提高整体电路的效率与可靠性。作为标准二极管，它能够在各种电子应用中提供可靠的整流特性。
电流与电压特性
- 平均整流电流（Io）：BAW56LT1G 的平均整流电流为 200mA，适用于一般的小信号整流需求。
- 正向电压（Vf）：在 150mA 的工作条件下，正向电压约为 1.25V，这使得其在高频率应用中的功耗保持在较低水平。
- 反向电压（Vr)：最大可承受的 DC 反向电压为 70V。这一参数使得 BAW56LT1G 能够在多种电子电路中发挥必要的作用，尤其是在高电压工作环境下。
漏电流特性 二极管在最大反向电压下的反向漏电流为 2.5µA @ 70V，表明其具有极低的漏电流特性。这对于电池供电的设备尤为重要，可以显著延长设备的使用寿命。
速度与响应时间 BAW56LT1G 拥有较小的反向恢复时间（trr），仅为 6ns，使其适合高频开关应用。这一特性特别适合于快速开关电源或数字电路中的应用，可以有效地减少开关损耗和提升整体系统的效率。
温度范围 工作温度范围为 -55°C 至 150°C，使得这款二极管可以在极端的环境条件下正常运行，具有良好的环境适应性。无论是在极寒或高温的工作环境中，BAW56LT1G 都能提供稳定的性能。
封装与安装
BAW56LT1G 采用 SOT-23-3（TO-236）封装，属于表面贴装型元件。这种封装类型具有较小的物理尺寸，适合高密度PCB设计。其轻巧的外形使得在填充面积有限的电路板上，比如移动设备、便携式电子产品等，其应用尤为广泛。
应用领域
由于其优越的性能，BAW56LT1G 可广泛应用于：
- 高频整流电路：适合用于开关电源、适配器和充电器等设备中。
- 信号开关电路：在各种电子设备中可用作信号调节和处理。
- 保护电路：如反向电流保护和过电压保护，能够帮助提高电路的安全性。
总结
BAW56LT1G 以其坚固的性能参数、极小的漏电流和适应广泛的工作温度范围，成为小信号应用的理想选择。无论是工业应用还是消费电子产品，这款二极管皆可为设计人员提供稳定的解决方案。通过其优良的响应时间和紧凑封装，BAW56LT1G 彰显了安森美在开关二极管领域的技术实力，为电子产品的性能提升和设计灵活性提供了极大助力。