BAS70-04W,115
BAS70-04W,115参数
| 直流反向耐压（Vr） | 70V | 平均整流电流（Io） | 70mA |
| 正向压降（Vf） | 410mV @ 1mA | 二极管配置 | 1 对串联 |
| 二极管类型 | 肖特基 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管） | 70mA（DC） | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1V @ 15mA |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10µA @ 70V |
| 工作温度 - 结 | 150°C（最大） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
BAS70-04W,115手册
BAS70-04W,115概述
产品概述：BAS70-04W,115 肖特基二极管
BAS70-04W,115 是一种高性能的肖特基二极管，专为低电压和高频应用而设计，具有独特的电气特性和封装形式，适合用于现代电子设备中的整流与开关应用。该器件由知名半导体供应商 Nexperia（安世）生产，拥有较为优越的可靠性和稳定性，广泛应用于消费电子、通信和工业领域。
一、基本性能参数：
直流反向耐压（Vr）： BAS70-04W的最大反向耐压为70V，这使得其可支持多种应用场合，尤其是在需要一定压抗能力的电源设计中，避免了因反向电压过高而导致的元器件损坏风险。
平均整流电流（Io）： BAS70-04W的平均整流电流为70mA（每二极管），为各种低功耗电子电路提供了充足的电流支持，能够满足大部分低功耗设备的需求。
正向压降（Vf）： 在1mA的工作条件下，其正向压降为410mV，相比于传统硅二极管，拥有更低的压降，进而提升了能效和减少了功耗，这一点对电池供电的设备尤为重要。
反向泄漏电流： 在70V的反向电压下，其反向泄漏电流低至10 µA，表明器件在关断状态时的漏电流非常小，可以大大提升电路的整体效率。
高工作温度： 该器件的结温可达到150°C，能够在诸如汽车电子、LED驱动等高温环境下稳定工作，极大地扩展了应用的范围和灵活性。
速度特性： BAS70-04W在小信号下能承受200mA的电流，确保其在高速开关电路中有效运作，适合高频率的信号处理。
二、封装和安装特性：
BAS70-04W采用SOT-323封装，且为表面贴装型（SMD），这使得其更加适合现代自动化生产线的安装工艺，大大提高了生产效率，降低了安装成本。同时，相对小巧的封装设计，能够在空间受限的电路板上有效节省空间，适合紧凑型应用设计。
三、应用场景：
BAS70-04W的特性使得它在多种应用中表现出色，例如：
- 整流应用： 适用于电源整流电路，特别是在低功耗装置中，如手机、平板电脑和小型家电。
- 反向保护： 为敏感负载提供反向电源保护，避免因误连接而造成的损害。
- 开关电路： 适合用在高频开关电源，因其快速的响应时间能够确保开关过程的高效性。
- 信号整形： 其低的正向压降和反向泄漏使其成为信号处理电路的理想选择。
四、总结：
综上所述，BAS70-04W,115 是一款结合了高性能、低功耗和出色效率的肖特基二极管，具备广泛的应用前景和市场需求。随着电子产品日益向高效、环保的方向发展，BAS70-04W将成为众多设计工程师的首选元器件之一。不论是在消费电子、工业控制、通信设备，还是智能家居应用中，其极具竞争力的参数必将为设备的性能提升做出贡献。