BAS385-TR 产品实物图片
BAS385-TR 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BAS385-TR

商品编码: BM0000281521
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
MicroMELF
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
肖特基二极管 800mV@100mA 30V 2.3uA@25V 200mA MicroMELF
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.725
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.725
--
100+
¥0.484
--
1250+
¥0.44
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

BAS385-TR参数

安装类型表面贴装型不同 Vr、F 时电容10pF @ 1V,1MHz
二极管类型肖特基速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
电流 - 平均整流 (Io)200mA不同 If 时电压 - 正向 (Vf)800mV @ 100mA
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)30V工作温度 - 结125°C(最大)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏2.3µA @ 25V

BAS385-TR手册

BAS385-TR概述

BAS385-TR 产品概述

产品简介

BAS385-TR 是一款来自威世(VISHAY)的高性能肖特基二极管,采用微型面贴封装(MicroMELF)。该器件能够为各种电子应用提供高效率和低功耗的解决方案,尤其是在需要快速切换和低正向电压的电路中。BAS385-TR 的设计考虑了现代电子设备对尺寸、效率和耐热性的要求,适用于诸如开关电源、整流电路、RF 系统以及其他要求高效能的电子设备。

关键参数

  • 安装类型: 表面贴装型(SMD),便于自动化流水线生产,提高组装效率。
  • 电流 - 平均整流(Io): 200mA,适合多数低至中功率应用。
  • 正向电压(Vf): 在 100mA 时仅为 800mV,显著降低了损耗,提高了转换效率。
  • 反向电压(Vr): 最大 30V,支持多种供电电压,不易饱和。
  • 反向泄漏电流: 在 25V 时为 2.3µA,表明该器件在关闭时能有效控制泄漏,提升整体电路性能。
  • 温度范围: 最大结温为 125°C,适合多种工作环境,特别是高温操作场景。
  • 电容: 10pF @ 1V,1MHz,适合高速信号传输和处理。

应用领域

BAS385-TR 的性能特征使其广泛适用于以下领域:

  1. 开关电源: 由于其快速开关能力和低正向电压的特性,可有效降低开关损失。
  2. 整流器: 适合用作低功耗整流器,在供应商提供的电源及各种电子设备中使用。
  3. RF 应用: 其低电容特性使得该二极管在高频应用中表现出色,能够有效处理 RF 信号。
  4. 低功耗电路: 尤其想要降低功耗的电路设计,BAS385-TR 是理想选择。

性能优势

  • 高效率: 由于其低正向电压特性,能够在较大电流下保持较低功耗,提高系统的总体效率。
  • 紧凑封装: MicroMELF 封装使该器件在占用空间极小的情况下,依然具备高性能表现,适合现代小型化电子产品。
  • 可靠性: 结合优质材料和制造工艺,使 BAS385-TR 在恶劣环境下仍能保持稳定的工作状态,提高了产品的寿命与可靠性。

总结

BAS385-TR 是一款在低功耗、高效率电子应用中表现优异的肖特基二极管。凭借其出色的电气特性与适应性,该器件在电源管理、整流和RF信号处理等多方面均具有广泛的应用潜力。无论是在紧凑型设计的便携式设备,还是在工业控制系统中,BAS385-TR 都能为用户提供出色的性能与可靠性,是高效电路设计中的理想选择。