安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Vr、F 时电容 | 10pF @ 1V,1MHz |
二极管类型 | 肖特基 | 速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
电流 - 平均整流 (Io) | 200mA | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 800mV @ 100mA |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 30V | 工作温度 - 结 | 125°C(最大) |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 2.3µA @ 25V |
BAS385-TR 是一款来自威世(VISHAY)的高性能肖特基二极管,采用微型面贴封装(MicroMELF)。该器件能够为各种电子应用提供高效率和低功耗的解决方案,尤其是在需要快速切换和低正向电压的电路中。BAS385-TR 的设计考虑了现代电子设备对尺寸、效率和耐热性的要求,适用于诸如开关电源、整流电路、RF 系统以及其他要求高效能的电子设备。
BAS385-TR 的性能特征使其广泛适用于以下领域:
BAS385-TR 是一款在低功耗、高效率电子应用中表现优异的肖特基二极管。凭借其出色的电气特性与适应性,该器件在电源管理、整流和RF信号处理等多方面均具有广泛的应用潜力。无论是在紧凑型设计的便携式设备,还是在工业控制系统中,BAS385-TR 都能为用户提供出色的性能与可靠性,是高效电路设计中的理想选择。