BAS21T-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BAS21T-7-F

商品编码: BM0000281520
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT523
包装 : 
编带
重量 : 
0.011g
描述 : 
开关二极管 独立式 1.25V@200mA 200V 200mA SOT-523
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
0.403
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.403
--
200+
¥0.26
--
1500+
¥0.226
--
3000+
¥0.2
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BAS21T-7-F参数

安装类型表面贴装型不同 Vr、F 时电容5pF @ 0V,1MHz
二极管类型标准速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
电流 - 平均整流 (Io)200mA不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.25V @ 200mA
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)200V工作温度 - 结-65°C ~ 150°C
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100nA @ 200V反向恢复时间 (trr)50ns

BAS21T-7-F手册

BAS21T-7-F概述

BAS21T-7-F 产品概述

1. 产品简介

BAS21T-7-F是一款高性能开关二极管,采用表面贴装技术(SMT)封装,封装形式为SOT-523。这款二极管主要用于小信号整流和开关应用,具备良好的电气性能和稳定性。其卓越的规格使其在广泛的电子产品中得以应用,尤其是在低功率和高频信号环境下具有良好的可靠性表现。

2. 基本参数

  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:SOT-523
  • 二极管类型:标准开关二极管
  • 最大反向电压(Vr):200V
  • 平均整流电流(Io):200mA
  • 正向电压(Vf):1.25V @ 200mA
  • 反向泄漏电流:100nA @ 200V
  • 反向恢复时间(trr):50ns
  • 工作温度范围:-65°C ~ 150°C

3. 电气性能

BAS21T-7-F具有优良的电气特性,使其在小信号处理和高频应用中表现突出。以下是重要的电气性能参数:

  • 电容特性:在0V, 1MHz下,电容值为5pF,适合射频(RF)应用。
  • 整流能力:在最大额定值下,二极管的平均整流电流达到200mA,有效地支持常见的电源整流需求。
  • 正向电压:1.25V的正向电压确保在整流过程中功耗最小,提升系统的能效。

4. 应用场景

BAS21T-7-F广泛应用于以下领域:

  • 消费电子:手机、平板电脑等移动设备中的电源管理和信号处理。
  • 通讯设备:在基站、路由器和其他网络设备中的小信号整流。
  • 工业控制:在传感器和执行器电路的信号开关和整流。
  • 汽车电子:在汽车中的小信号整流和保护电路,增强系统的稳定性。

5. 性能优势

  • 高反向电压:最大200V的反向电压使得BAS21T-7-F适用于各种高电压应用,能够有效防止组件在峰值电压下损坏。
  • 低反向泄漏:在200V时仅有100nA的反向泄漏电流,降低了功耗,提升了系统可靠性。
  • 快速开关特性:50ns的反向恢复时间适合高频开关应用,使其能够迅速响应不同的信号状态。
  • 宽工作温度范围:-65°C至150°C的工作温度使得该产品能够在极端环境下正常工作。

6. 结论

综上所述,BAS21T-7-F是一款性能稳定、适用范围广的开关二极管,能够满足现代电子设备对小信号、高频率和高可靠性元件的需求。其出色的电气特性和耐受能力,使其成为设计工程师在开发和优化电子系统时的理想选择。

在选择BAS21T-7-F时,设计工程师可以充分利用其高反向电压、低正向压降和快速反向恢复时间等优势,从而提高最终产品的性能,满足市场对高效能、低功耗设备的需求。无论在通信、消费电子还是工业应用中,BAS21T-7-F都将是一个可信赖的元件选择。