BAS16LT1G
BAS16LT1G参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Vr、F 时电容 | 2pF @ 0V，1MHz |
| 二极管类型 | 标准 | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 200mA（DC） | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 150mA |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 100V | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1µA @ 100V | 反向恢复时间 (trr) | 6ns |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
BAS16LT1G手册
BAS16LT1G概述
BAS16LT1G 产品概述
概述
BAS16LT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能开关二极管，采用 SOT-23-3（TO-236）小型表面贴装封装。其卓越的电气特性和广泛的工作条件使其成为众多电子应用中理想的选择。这款二极管具备出色的电流和电压处理能力，适用于小信号处理、高速开关应用、以及反向恢复时间敏感的电路。
基本参数
封装和安装类型: BAS16LT1G 采用小型 SOT-23-3（TO-236）封装，这种表面贴装型设计适合于需要高密度布置和小型化设计的电路板。这种封装有利于提高PCB的集成度，适应现代电子设备日益紧凑的趋势。
电流与电压:
- 额定电流 (Io): BAS16LT1G 可支持 200mA（直流平均整流电流）。这一规格使其在多种负载条件下依然能够稳定工作，并且适合用于一般的开关电路和整流电路。
- 正向电压 (Vf): 在150mA的条件下，BAS16LT1G 的正向电压为1.25V。这个低正向电压特性使得该二极管在工作时能够有效减少功率损耗，从而提高整体能效。
- 反向电压 (Vr): 较高的反向电压额定值为100V，适合于多种应用场合，这为设计工程师提供了灵活性，并保障了电路的安全。
反向泄漏电流: 在100V的反向电压下，BAS16LT1G 的反向泄漏电流仅为1µA，这意味着在关闭状态下，二极管对电源的消耗极低，有助于提高电路的整体可控性和稳定性。
反向恢复性能: 对于开关应用，反向恢复时间（trr）是一个重要指标。BAS16LT1G 的反向恢复时间为6ns，适合于高速开关电路，可以有效降低开关损耗。该特性使其特别适用于脉冲应用和高频信号处理。
电容特性: 在0V时，BAS16LT1G 的不同 Vr、F 时电容表现为2pF（在1MHz下测试）。这一低电容性能使得该二极管在信号处理中不会引入显著的信号衰减，非常适合用于RF或高速信号应用。
工作温度范围: BAS16LT1G 的工作结温范围为 -55°C 到 150°C，使其适应各种严苛的工作环境，广泛应用于工业、汽车、消费电子等领域。
应用场景
BAS16LT1G 由于其优异的电气特性和小型封装，广泛应用于以下领域：
- 通信设备: 使用在信号切换、整流和保护电路中，确保数据传输的稳定性与可靠性。
- 消费电子产品: 如智能手机、平板电脑等设备中的电源管理和信号处理环节。
- 工业设备: 在传感器信号处理、马达驱动等模块中发挥重要作用。
- 汽车电子: 在汽车控制单元中用于信号调节和整流。
结论
作为 ON Semiconductor 提供的一款高效开关二极管，BAS16LT1G 以其出色的电气性能、紧凑的封装以及广泛的应用适应性，成为工程师在设计轻型电子设备时的热门选择。无论是在需要速度、可靠性，还是在复杂的电路设计中，BAS16LT1G 都能满足现代电子产品不断增长的性能需求，推动技术创新与应用发展。