B160B-13-F
B160B-13-F参数
| 直流反向耐压（Vr） | 60V | 平均整流电流（Io） | 1A |
| 正向压降（Vf） | 700mV @ 1A | 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 60V | 电流 - 平均整流 (Io) | 1A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 700mV @ 1A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 500µA @ 60V | 不同 Vr、F 时电容 | 110pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-214AA，SMB |
| 供应商器件封装 | SMB | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
B160B-13-F手册
B160B-13-F概述
B160B-13-F 产品概述
B160B-13-F 是一款高性能的肖特基二极管，由知名电子元器件制造商DIODES（美台）生产。该二极管在许多电子设备中广泛应用，尤其适用于需要高效能、快速开关和低正向压降的场合。
1. 基本参数
直流反向耐压（Vr）: B160B-13-F 的最大直流反向耐压为60V，这意味着它能够承受较高的反向电压而不会发生失效。这一特性使其非常适合在高电压应用中使用。
平均整流电流（Io）: 该二极管的平均整流电流为1A，足以满足许多消费电子设备、电源适配器、DC-DC转换器和其它需要恒定电流的应用场合。
正向压降（Vf）: 在1A的正向电流下，B160B-13-F的正向压降仅为700mV。低正向压降能有效降低功率损耗，提高能量转化效率，特别是在热管理尤其重要的高密度电路中表现优秀。
反向泄漏电流: 在60V的反向电压下，B160B-13-F的反向泄漏电流为500µA。这一指标对于保证在高温和高电压环境下的稳定性极为关键。
速度: 该二极管具备快速恢复特性，恢复时间≤500ns，并且在> 200mA的电流下表现良好。这使得它在高频开关电源和其他快速切换的应用中表现出色。
不同Vr时电容: 在4V, 1MHz的条件下，该二极管的电容为110pF。这一值较低的电容使得它在高频应用中具有良好的性能，减少输入输出信号之间的干扰。
2. 封装及安装方式
B160B-13-F采用DO-214AA（SMB）封装，属于表面贴装型（SMD）。这种封装形式不仅适合自动化贴片装配，提高了生产效率，同时也使得整机设计更为紧凑，适应现代电子设备对空间的苛刻要求。
3. 工作温度范围
该二极管的工作温度范围广泛，从-65°C至150°C。这一特性使得B160B-13-F非常适合在极端气候条件下使用，比如汽车电子、工业设备及航天应用等场景。
4. 应用领域
B160B-13-F的多种特性使其在各类电子电路中具备广泛的应用前景。它适用于：
- 开关电源：有效减少功率损耗和热量产生，提高整体效率。
- 电源适配器：作为整流元件，提供稳定的电流输出。
- 直流电机驱动：用于控制电机的整流过程。
- 电池充电器：作为防反接的保护元件，提高电池的安全性和使用寿命。
- LED驱动器：在LED照明产品中，用于提高功率转化的效率。
5. 总结
总体而言，B160B-13-F是一个在多个应用场景中表现优异的肖特基二极管，其低正向压降、高反向耐压、宽工作温度范围和快速恢复特性都使其成为电子工程师的理想选择。对于需要高效率和稳定性能的现代电子设备，B160B-13-F无疑是一个极佳的选择。选择DIODES公司提供的B160B-13-F，意味着选择了品质与性能的保证。在未来的电子设计中，B160B-13-F将帮助工程师们追求更高的性能和更低的能耗，推动电子技术的不断发展与创新。