MBR140SFT1G

MBR140SFT1G 产品概述

产品简介

MBR140SFT1G 是一种高性能的肖特基二极管，由著名的半导体制造公司安森美半导体（ON Semiconductor）生产。该二极管主要用于各种高效电力转换应用，如开关电源、整流电路及电压钳位电路。其卓越的反向漏电流性能和低正向电压降，使其成为现代电子设备中不可或缺的组件。

基本特性

1. 安装类型: MBR140SFT1G 采用表面贴装型（SMD）封装，便于自动化安装与高密度电路板布局，适合现代电子设备的大规模生产。

2. 二极管类型: 本产品属于肖特基二极管，能够提供快速的开关速度和低损耗特性。其反向恢复时间通常小于500ns，有效降低了开关损耗，适合高频应用。

3. 电流与电压性能:

   • 正向电流 (Io): MBR140SFT1G 额定平均整流电流为1A，能够满足多数小型电子设备的电流需求。
   • 正向电压降 (Vf): 在1A的条件下，正向电压降为550mV，确保在传导状态下的低功耗特性，有助于提高整体电源效率。
   • 反向电压 (Vr): 最大直流反向电压为40V，提供了良好的防护，以适应不同应用场景的需求。

4. 反向泄漏电流: 在40V的逆向电压下，反向泄漏电流仅为500µA。这一性能指标在高温环境下仍然表现优异，确保设备的可靠性和稳定性。

5. 工作温度范围: 该二极管的工作结温范围广泛，从-55°C 到 125°C，适合于各种极端环境下的应用。

封装与应用

MBR140SFT1G 采用 SOD-123L 封装，这种小型封装具有较小的外形尺寸，适合高密度设计，且提供良好的散热性能。由于其出色的特性，MBR140SFT1G 二极管广泛应用于以下几个领域：

• 开关电源：在 DC-DC 转换器中，低正向压降和快速恢复特性能够大幅提高转换效率。
• 整流电路：在交流到直流电源的整流过程中，该二极管能够显著减少功耗，降低系统温升。
• 电池管理系统：在电池充电和放电过程中，MBR140SFT1G 能有效防止反向电流，为电池提供长期稳定的使用寿命。
• 电源保护：作为场效应管的保护二极管，MBR140SFT1G 可保障整流和逆变电路不受反向电压的冲击。

总结

MBR140SFT1G是一款性能优异、稳定可靠的肖特基二极管，凭借其低正向压降、快速恢复能力及较低的反向泄漏特性，非常适合用于现代电子设备中对能效和耐用性要求日益提高的应用场景。作为安森美公司的产品，MBR140SFT1G不仅性能卓越，而且在工业界享有良好的声誉，成为众多设计工程师首选的电子元器件之一。选择MBR140SFT1G，将为电源管理系统的设计与实现增添一份保障。