LL4448-GS08
LL4448-GS08参数
| 反向恢复时间（trr） | 8ns | 直流反向耐压（Vr） | 75V |
| 平均整流电流（Io） | 150mA | 正向压降（Vf） | 720mV @ 5mA |
| 二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 150mA | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 720mV @ 5mA |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 | 反向恢复时间 (trr) | 8ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 75V | 不同 Vr、F 时电容 | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
| 供应商器件封装 | SOD-80 MiniMELF | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 175°C |
LL4448-GS08手册
LL4448-GS08概述
LL4448-GS08 产品概述
产品简介
LL4448-GS08 是由威世 (VISHAY) 提供的一款高性能开关二极管, 采用表面贴装型封装 (SOD-80 MiniMELF)。该二极管的设计充分考虑了在高频开关应用中的相应性能需求，具有快速的反向恢复时间、稳定的整流性能以及广泛的工作温度范围，使其在消费电子、通信、工业控制等多个领域都得到了广泛运用。
主要参数
- 反向恢复时间 (trr): 8 ns
- 直流反向耐压 (Vr): 75 V (最大值100 V)
- 平均整流电流 (Io): 150 mA
- 正向压降 (Vf): 720 mV @ 5 mA
- 反向漏电流: 5 µA @ 75 V
- 电容 (C): 4 pF @ 0V, 1 MHz
- 工作温度范围: -65 °C ~ 175 °C
性能特点
快速开关特性: LL4448-GS08 的反向恢复时间为仅8纳秒，适合高速开关应用，这使得其能够轻松应对快速脉冲信号的转换，降低信号延迟，并提高电路的整体工作效率。
高耐压能力: 该二极管的直流反向耐压可达75V，最大值为100V，确保在高压条件下的可靠运行，适用于需要较高电压支持的应用场景，如电源管理和过压保护。
低正向压降: LL4448-GS08 在正向电流为5 mA时正向压降为720 mV，这一特性可以有效降低能量损耗，提高电源效率，尤其是在需要大量二极管进行整流的电路设计中。
出色的热稳定性: 凭借其广泛的工作温度范围（-65 °C 至 175 °C），该二极管适合各种严苛环境的应用，保障了产品的可靠性和稳定性。
低反向漏电流: 在75V的反向电压下，反向漏电流仅为5µA，这是提高电源或信号电路性能的重要因素之一，能有效抑制电路中的无功损耗。
小型封装设计: SOD-80 MiniMELF封装设计，不仅节省了PCB空间，还支持更高密度的布局，适合现代小型电子设备的需求。
应用领域
LL4448-GS08 的应用领域广泛，包括但不限于：
- 开关电源: 在开关电源的整流部分，提供高效的信号转换。
- 信号整流: 用于信号处理和数据转换，确保信号的准确传输。
- 过压保护: 在电源电路中提供过压保护，避免其他元件因过压而损坏。
- 通信设备: 在高频通信设备中，提供快速的信号切换能力，增强通信质量。
- 消费电子: 在各类消费电子产品中，利用其出色的性能实现高密度设计。
结论
综上所述，LL4448-GS08开关二极管以其优异的电气特性和广泛的应用能力，成为了许多现代电子设计中的理想选择。无论是其快速的反向恢复能力、宽广的工作温度，还是低正向压降与反向漏电流特性都使得其在各类应用中体现出优越性能。对于设计工程师而言，LL4448-GS08无疑是一个值得信赖的解决方案，能够有效提升产品的整体性能与稳定性。