封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm宽) | 驱动配置 | 半桥 |
通道类型 | 同步 | 驱动器数 | 2 |
栅极类型 | IGBT,N沟道MOSFET | 电源电压 | 10V~16.6V |
电流-峰值输出(灌入,拉出) | 170mA,270mA | 输入类型 | RC输入电路 |
工作温度 | -40°C~150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | 电压 - 供电 | 10V ~ 16.6V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 170mA,270mA | 高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V |
供应商器件封装 | 8-SO |
L6569AD013TR是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能半桥栅极驱动器,适用于驱动N沟道MOSFET和IGBT。其设计旨在优化电力电子控制系统的性能,广泛应用于电机驱动、变频器及其他高压大功率应用中。这款驱动器具有双通道配置,可支持同步驱动,适用于需要高频率和快速开关的应用场景。
驱动配置与通道类型
L6569AD013TR配置为半桥结构且具有两个驱动器通道,能够高效控制电力开关元件,提高系统的灵活性和可靠性。该驱动器能够有效降低开关损耗,适应各种电流和电压条件。
高电压能力
该驱动器的高压侧电压最高可达600V,适合用于高压应用,如电机控制和变频器,提供了良好的抗击击穿能力和安全边际。
电源电压范围
设计支持10V至16.6V的电源电压,这使得L6569AD013TR适应多种电源系统需求,保证了在不同电源条件下的稳定工作。
峰值输出电流
L6569AD013TR的输出电流能力为170mA(灌入)和270mA(拉出),能够快速响应输入信号,使得MOSFET或IGBT的开关切换速度更快,从而提高整体效率。
适应性工作温度
该产品能在-40°C至150°C的宽温度范围内工作,适合在极端环境下运行的各种工业应用。这一特性保障了在严苛条件下的长期稳定性和可靠性。
RC输入电路
L6569AD013TR采用RC输入电路,具有较高的抗干扰能力和较好的输入信号处理能力,尤其适合噪声环境中的应用。
表面贴装封装
采用8-SOIC(0.154",3.90mm宽)封装方式的设计,使得该IC可以轻松集成到现代电子设备中,适合自动化焊接流程,减小了PCB占用面积。
湿气敏感性等级(MSL)
该产品的湿气敏感性等级为1,表明其对湿气的耐受性好,适合在高湿度环境中使用。
L6569AD013TR广泛应用于各种领域,具体包括但不限于:
总之,L6569AD013TR是一款高性能的半桥栅极驱动器,其设计充分考虑了现代电子应用中对电源、效率和可靠性的需求。凭借其高电压能力和宽温工作范围,L6569AD013TR在电机控制、变频器及其他高压应用中展现出卓越的性能和适用性,是电力电子领域中不可或缺的重要元件。这款产品不仅能提升系统的性能,还能有效降低运行成本,为用户提供更高的价值。