KBP210G
KBP210G参数
| 反向峰值电压 | 1000V | 平均整流电流（Io） | 2A |
| 正向压降（Vf） | 1.1V @ 2A | 二极管类型 | 单相 |
| 技术 | 标准 | 电压 - 峰值反向（最大值） | 1kV |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 2A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.1V @ 2A |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10µA @ 1000V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | 4-SIP，KBP |
| 供应商器件封装 | KBP |
KBP210G手册
KBP210G概述
KBP210G 产品概述
KBP210G 是一款高性能整流桥，专为需要高电压和高电流应用而设计。作为DIODES（美台）品牌的一部分，KBP210G 在电子元器件领域中以其卓越的性能和可靠性脱颖而出。其封装类型为KBP（四脚单列引脚），安装方式为通孔设计，使其适用于各种电路板的集成。
主要规格参数
反向峰值电压（V_R）: KBP210G 最大反向峰值电压为1000V，这使其能够承受高压环境，广泛应用于需要对抗电压击穿的场合。
平均整流电流（I_O）: 该整流桥的平均整流电流可达到2A，使其适用于中等功率的整流需求，满足大多数消费电子、电源管理和工业控制等应用。
正向压降（V_f）: 在2A的工作电流下，KBP210G 的正向压降为1.1V。这一压降值较低，在高效能要求的场合可以减少电源损耗，提高整体能效。
反向泄漏电流: 在1000V的反向电压下，其反向泄漏电流为5µA。这一特性在减少电路中的功耗和提升效率方面起到了关键作用。
工作温度范围: KBP210G 能够在-65°C到150°C的温度范围内稳定工作，这使其适合于极端环境条件和高温应用场合。
封装设计: KBP210G 的4-SIP封装设计能有效节省空间，增强散热性能，适用于小型化电路设计。
应用场景
KBP210G 适用于多种电子电路场景，尤其在以下领域表现突出：
电源整流: 作为电源整流电路的关键组件，KBP210G 可用于将交流电转换为直流电，广泛应用于开关电源和适配器中。
工业设备: 能够在高电压和高温环境下可靠工作，KBP210G 十分适合工业控制系统、设备的电源模块。
消费电子: 此整流桥可用于家电产品、手机充电器、电脑供电系统等多个消费类产品中，发挥其高效整流的优势。
新能源: 在采用光伏和风力等新能源系统时，KBP210G 可作为整流元件，有助于提升系统整体能效。
性能优势
KBP210G 的优异性能主要源于其高耐压、低正向压降和良好的热稳定性，使其成为现代电子设计中的热门选择。此外，其良好的反向泄漏特性进一步提升了电路的效率并降低了温度升高的可能性。
总结
KBP210G 整流桥是一个集高效、可靠与灵活于一体的电子组件，能够满足多样化的设计需求。其卓越的技术优势和适应广泛的工作环境使得KB21G成为行业内公认的优选产品。无论是在消费者电子、工业应用还是新能源领域，KBP210G 都将为工程师和设计师提供有效的支持与解决方案。在未来的电子应用中，KBP210G 将继续作为高效整流元件的代表，推动电子技术的进一步发展与创新。