FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 65A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 10 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1030pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 75W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
IRLR7821TRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应管),由知名半导体制造商英飞凌(Infineon)出品,专为各种功率转换和控制应用而设计。该器件结合了低导通电阻和高电流承载能力,适合用于高效的电源管理、电动汽车控制、电机驱动器以及可再生能源应用等多个领域。其宽工作温度范围和良好的功率散热能力使其能够在苛刻的环境条件下稳定运行。
IRLR7821TRPBF MOSFET 由于其卓越的电气性能,广泛应用于以下几个领域:
作为一款优秀的 N 通道 MOSFET,IRLR7821TRPBF 以其优越的电气特性、高功率处理能力和广泛的应用适应性,成为现代电子设计中不可或缺的组件之一。无论是在电源管理领域还是在要求严格的电动汽车及工业控制系统中,IRLR7821TRPBF 都能提供稳定、可靠且高效的性能表现,为工程师和设计师们提供了强有力的支持。选择 IRLR7821TRPBF,将是您实现高性能电子设计的明智选择。