FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.6A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 64 毫欧 @ 3.6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 10µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 4.8nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 388pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 1.3W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
IRLML9301TRPBF 是一款高性能的 P 型 MOSFET,采用表面贴装型封装(SOT-23/Micro3),由知名电子元件制造商 Infineon(英飞凌)生产。这款器件在电子电路中表现出卓越的优势,适用于多种应用场景,特别是在低电压、高开关频率的环境中。其额定漏源电压为 30V,连续漏极电流为 3.6A,非常适合用于功率管理、开关电源、马达驱动和其他数字电路中。
IRLML9301TRPBF 采用 SOT-23(TO-236-3,SC-59)封装,其紧凑的尺寸使其适合于面积受限的应用,同时有效降低了电路布局所需的空间。SOT-23 封装还具备良好的散热性能,使得该器件在高功率密度和高可靠性的要求下仍能稳定运行。
IRLML9301TRPBF 适用的应用领域包括但不限于:
综上所述,IRLML9301TRPBF 是一款高效、可靠的 P 通道 MOSFET,适用于广泛的电源管理和控制应用。其优越的电气特性、良好的散热性能和紧凑的封装设计,使其在现代电子产品中具有很高的适用性和价值。无论是设计还是应用,IRLML9301TRPBF 都为工程师和设计人员提供了一种有效的解决方案,以满足不断变化的市场需求。