IRLML6401TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SOT-23(Micro3)
包装 :
编带
重量 :
0.035g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.3W 12V 4.3A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
33480(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.625按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.625
--
200+
￥0.403
--
1500+
￥0.35
--
3000+
￥0.31
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45000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRLML6401TRPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.3A |
| 栅源极阈值电压 | 950mV @ 250uA | 漏源导通电阻 | 50mΩ @ 4.3A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.3W | 类型 | P沟道 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.3A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 830pF @ 10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15nC @ 5V | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 4.3A，4.5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| FET 类型 | P 通道 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 12V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.3A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 4.3A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15nC @ 5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 830pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
IRLML6401TRPBF手册
IRLML6401TRPBF概述
产品概述：IRLML6401TRPBF
一、产品简介
IRLML6401TRPBF是由英飞凌（Infineon）公司制造的一款高性能P沟道MOSFET，适用于多种电子设计应用。这款元器件以其出色的性能和稳定的工作温度范围，成为低功耗应用中实现高效电流控制的重要选择。在其SOT-23（Micro3）封装中，IRLML6401TRPBF集成多项优势参数，使其在小型电子设备、电源管理和信号开关等领域得到广泛应用。
二、基础参数
- 漏源电压（Vdss）：12V
- 连续漏极电流（Id）：4.3A（在25°C时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：950mV @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(On)）：50mΩ @ 4.3A, 4.5V
- 功率耗散：最大1.3W（在25°C时）
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 封装类型：SOT-23/Micro3
三、电气特性
IRLML6401TRPBF的关键电气特性使其能够在宽广的负载条件下高效工作。其漏源电压最高可达12V，而连续漏极电流为4.3A，这使MOSFET能够处理一般小型电流应用。此外，950mV的栅源阈值电压和50mΩ的导通电阻可以为系统设计提供较高的效率，降低能量损耗，适合低电压和高频率的操作环境。
四、驱动电压
产品在不同的驱动电压下展现出优秀的性能特点：
- 最小Rds(On)驱动电压：1.8V
- 最大Rds(On)驱动电压：4.5V
这样的电压范围使得IRLML6401TRPBF在逻辑电平驱动应用中极具灵活性，能够满足各种输入条件下的性能需求，尤其适合电池供电的便携设备。
五、性能优势
- 快速开关特性：在高频应用中，IRLML6401TRPBF的栅极电荷（Qg）仅为15nC @ 5V，优化了开关速度，从而提高了效率。
- 低导通损耗：相对较低的导通电阻（Rds(On)）带来了极低的导通损耗，使得在高电流下仍能保持较低的温升。
- 宽温度范围：其工作温度范围为-55°C至150°C，确保了这款MOSFET在各种苛刻环境下均能稳定运行。
六、应用领域
IRLML6401TRPBF的广泛应用包括：
- 电源管理：可用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统中，以实现高效的能量转换和管理。
- 信号开关：在音频和视频信号处理线路中作为开关，能够提供快速的信号切换。
- 汽车电子：在汽车内部的低压DC应用中，面对各种传感器和控制器，MOSFET能够提供优良的电流控制。
七、总结
作为一款高效的P沟道MOSFET，IRLML6401TRPBF以其优良的电气特性、宽广的应用范围和可靠性，为设计者提供了极大的便利。凭借其极低的导通电阻和高温工作能力，它是真正的电子设计中不可或缺的一部分，尤其是需要高效能及紧凑空间布局的现代电子设备中。英飞凌通过IRLML6401TRPBF展现出其在小型化功率半导体方面的设计能力，使其成为市场上竞争力强的产品。