IRLL2705TRPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRLL2705TRPBF

商品编码: BM0000281364
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SOT-223
包装 : 
编带
重量 : 
0.194g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1W 55V 3.8A 1个N沟道 SOT-223-4
库存 :
2685(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
2.06
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.06
--
100+
¥1.58
--
1250+
¥1.38
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRLL2705TRPBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)55V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)40 毫欧 @ 3.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)48nC @ 10V
Vgs(最大值)±16V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)870pF @ 25V
功率耗散(最大值)1W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装SOT-223
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA

IRLL2705TRPBF手册

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IRLL2705TRPBF概述

产品概述:IRLL2705TRPBF MOSFET

一、产品简介

IRLL2705TRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应管),由全球领先的半导体制造商英飞凌(Infineon)出品。该器件专为需要高效电源转换和控制的应用而设计,具备出色的电气性能和热管理特性,广泛应用于电源供应、驱动电路和电机控制等领域。

二、关键特性

  1. 漏源电压(Vdss): 此器件额定漏源电压为55V,确保在高压环境下的稳定工作。
  2. 连续漏极电流(Id): 在25°C环境下,IRLL2705TRPBF 可承受最大3.8A的连续漏极电流,优于同类产品,适应高负载需求。
  3. 导通电阻(Rds(on)): 在10V栅极驱动电压下,典型的导通电阻为40毫欧,极低的导通电阻有助于减少开关损耗,从而提高整体效率。
  4. 阈值电压(Vgs(th)): 该器件的阈值电压最大值为2V(@250µA),确保能够在较低的驱动电压下工作,适应多种控制信号。
  5. 栅极电荷(Qg): 在10V驱动下,栅极电荷为48nC,说明在开关过程中占用较少的驱动功率,有助于提升高频开关应用的效率。
  6. 输入电容(Ciss): 在25V下测得的最大输入电容为870pF,使其适合于高速开关和高频应用。
  7. 工作温度范围: 工作温度范围广泛,-55°C至150°C的耐温性使其在极端环境条件下依然稳定工作。
  8. 封装类型: 该器件采用SOT-223表面贴装封装,适合于空间受限的应用,易于自动化流水线封装和热管理。

三、应用领域

IRLL2705TRPBF广泛适用于以下领域:

  • DC-DC转换器: 由于其较高的开关频率和低导通电阻,适合用于高效率的DC-DC转换设计。
  • 电源管理: 可用于电源调节和电池管理系统,增强系统的电源效率。
  • 电机控制: 在电机驱动和控制中,提供稳定的电流和高效的切换性能。
  • 消费电子: 应用于各种消费电子产品中,帮助提高产品的电能使用效率。
  • LED驱动电路: 由于其低损耗特性,也可以用于LED灯驱动电路,提升灯具效率和寿命。

四、设计考虑

在设计电路时,使用IRLL2705TRPBF要注意以下几点:

  • 栅极驱动: 确保提供足够的栅极驱动电压,以达到最小导通电阻,确保电流承载能力。
  • 散热管理: 在最大功率耗散1W的情况下,合理设计散热措施以确保器件工作在安全的温度范围内。
  • PCB布局: 进行合理的PCB布局设计以降低寄生电感和电容,提高开关速度和稳定性。

五、总结

IRLL2705TRPBF是一款具备高性能指标的N通道MOSFET,专为高效率应用而设计,适合需要高切换速度和低导通电阻的电源管理及电机控制领域。其性能优越、适应广泛的工作温度范围和高达1W的功率耗散,使其成为现代电子设计中不可或缺的基础元件。无论是采用于高频DC-DC转换、消费电子,还是其他电源管理应用,IRLL2705TRPBF都将提供可靠的支持。