FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.8A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 40 毫欧 @ 3.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 48nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 870pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 1W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
IRLL2705TRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应管),由全球领先的半导体制造商英飞凌(Infineon)出品。该器件专为需要高效电源转换和控制的应用而设计,具备出色的电气性能和热管理特性,广泛应用于电源供应、驱动电路和电机控制等领域。
IRLL2705TRPBF广泛适用于以下领域:
在设计电路时,使用IRLL2705TRPBF要注意以下几点:
IRLL2705TRPBF是一款具备高性能指标的N通道MOSFET,专为高效率应用而设计,适合需要高切换速度和低导通电阻的电源管理及电机控制领域。其性能优越、适应广泛的工作温度范围和高达1W的功率耗散,使其成为现代电子设计中不可或缺的基础元件。无论是采用于高频DC-DC转换、消费电子,还是其他电源管理应用,IRLL2705TRPBF都将提供可靠的支持。