IRFR320TRPBF
IRFR320TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 400V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.8 欧姆 @ 1.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 350pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），42W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRFR320TRPBF手册
IRFR320TRPBF概述
产品概述：IRFR320TRPBF（VISHAY N沟道MOSFET）
在现代电子设计中，功率管理和信号处理是至关重要的，而场效应晶体管（FET）则是实现这些功能的核心元器件之一。IRFR320TRPBF是一款由VISHAY（威世）公司生产的N沟道MOSFET，具有出色的电气性能和可靠性，适用于广泛的应用场景，包括开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等。
主要特点
电压和电流能力：IRFR320TRPBF的漏源电压(Vdss)为400V，持续漏极电流(Id)在25°C时可达3.1A，能够满足高电压、高电流的应用需求。这使得该器件特别适用于需要在高压环境下工作的电子电路。
导通电阻：在10V的驱动电压下，IRFR320TRPBF的最大导通电阻(Rds On)为1.8Ω（@1.9A），其高导通能力降低了功耗并提高了整体能效。这一特性对电源管理系统尤为重要，能够有效减少电源转换过程中的损耗。
栅源电压：本产品支持的最大栅源电压(Vgs)为±20V，使得其在各种驱动电压下均能稳定工作。较宽的栅源电压范围使其适用于多种控制电路设计。
温度特性：IRFR320TRPBF的工作温度范围广泛，能够在-55°C到150°C的环境中稳定工作。此外，器件的功率耗散可达到2.5W（在环境温度下）和42W（在结温条件下），这保证了在各种环境下的温度管理能力。
电容特性：输入电容(Ciss)最大值为350pF（@25V），相对较低的输入电容使得该器件在快速开关操作时具有更好的响应特性，适合高频应用。
封装类型：该器件采用TO-252-3（D-Pak）封装，支持表面贴装，符合现代PCB设计要求，便于自动化生产。D-Pak封装不仅提高了热传递效率，还提供了较小的占用空间。
应用场景
IRFR320TRPBF可广泛应用于以下领域：
- 开关电源：在AC-DC和DC-DC转换器中，IRFR320TRPBF可作为高效开关元件，提供可靠的电源转换。
- 电机驱动：由于其出色的开关性能，该MOSFET可用于控制直流电机和步进电机，实现高效驱动。
- 负载开关：可用于高压负载开关应用，满足工业设备及家电中的电流切换需求。
结论
综上所述，IRFR320TRPBF是一款高性能的N沟道MOSFET，具有优异的电气特性和广泛的应用潜力。无论是在高压电源管理、驱动控制还是其他电子应用中，它都展示了强大的适应性和可靠性。选择IRFR320TRPBF，您将能够提升产品设计的效率和性能，满足现代电子设备日益增长的要求。在未来的电子产品开发中，IRFR320TRPBF无疑将成为理想的选择之一。