漏源电压(Vdss) | 55V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 110A |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 8mΩ @ 59A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 200W | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 8 毫欧 @ 59A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 170nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4000pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 200W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-247AC | 封装/外壳 | TO-247-3 |
概述
IRFP064NPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的高性能 N 沟道 MOSFET,广泛应用于电源管理、逆变器和功率开关等领域。凭借其可靠的性能、优越的热管理和出色的导通电阻特性,IRFP064NPBF 适合于需要高功率和高效率的应用场景。
关键特性
应用领域
IRFP064NPBF 的高性能参数使其在多个行业和应用中表现突出:
产品封装与安装
IRFP064NPBF 采用 TO-247AC 封装,这种硬件结构有助于散热性能的提升,满足高功率应用对热管理的需求。通孔安装方式使得其在 PCB 上的安装简单、方便,同时确保良好的导热性能。在多个电力应用中,采用 TO-247 封装的产品通常可提供更好的散热状态和强度。
环境和可靠性
该 MOSFET 具有宽广的工作温度范围,能够在 -55°C 到 +175°C 的环境条件下稳定运行。这一特性使得 IRFP064NPBF 非常适合于极端环境下的应用,确保了其长期的可靠性和稳定性。此外,IRFP064NPBF 符合多项环保标准,是一款环保型产品,适合于现代绿色电子设备中的使用。
总结
IRFP064NPBF 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET,凭借其出色的电气特性和强大的 Thermal Performance,以及广泛的应用适用性,成为电源管理、电机驱动及高频开关设计中的理想选择。无论是在高温、高电流环境中,或是在对功率转换效率有高度要求的应用场合,IRFP064NPBF 都能提供可靠、优质的解决方案。