安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.2 欧姆 @ 660mA,10V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.1A(Tc) | FET 类型 | P 通道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 200pF @ 25V | Vgs(最大值) | ±20V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8.7nC @ 10V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 功率耗散(最大值) | 2W(Ta),3.1W(Tc) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
产品概述:VISHAY IRFL9110TRPBF
VISHAY IRFL9110TRPBF 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,适用于各种中低功率应用。该 MOSFET 的设计特点和技术规格使其能够在高达 100V 的漏源电压 (Vdss) 下安全稳定地工作,同时其连续漏极电流(Id)可达 1.1A,满足多种电子电路的设计需求。
1.1 安装类型与封装
IRFL9110TRPBF 采用表面贴装型 (SMD) 封装,具体为 SOT-223。这种封装设计不仅体积小巧,能够有效节省电路板空间,同时也便于自动化焊接和组装,提高生产效率。SOT-223 封装的热性能良好,能够在高功率密度的应用中保持较低的工作温度。
1.2 重要电气特性
导通电阻 (Rds(on)):在典型工作条件下,IRFL9110TRPBF 的导通电阻最大值为 1.2 欧姆(在 10V 的栅极驱动电压和 660mA 的漏极电流下测试)。低 Rds(on) 表示该 MOSFET 在导通状态下具有较低的能量损耗,从而提高整体电路的能效。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 的漏极电流下,最大栅极阈值电压为 4V,确保在较低的驱动电压下也能顺利导通。
输入电容 (Ciss): 在 25V 条件下的最大输入电容为 200pF,低输入电容使得其在开关频率高的应用场合下仍然表现良好,能够快速开启和关闭。
栅极电荷 (Qg): 当 Vgs 设定为 10V 时,栅极电荷最大值为 8.7nC,这一特性使其在高频开关应用中更具优势。
IRFL9110TRPBF 的核心应用包括但不限于:
电源管理:可用于 DC-DC 转换器、线性稳压电源等电源电路,用于高效的电源开关和电流控制。
电机驱动:能够用作电机控制电路中的开关元件,适用于无刷直流电机(BLDC)及步进电机驱动。
负载开关:在负载管理系统中,IRFL9110TRPBF 可作为开关元件控制大功率负载的通断。其 P 通道特性对于负载的低侧开关解决方案尤为有效。
IRFL9110TRPBF 具备宽广的工作温度范围,从 -55°C 到 150°C,符合恶劣环境下的应用需求。该 MOSFET 的高温特性使其适用于工业环境、汽车电子和航天应用。
总的来说,VISHAY IRFL9110TRPBF 是一款功能强大、性能可靠的 P 通道 MOSFET,凭借其低导通电阻、高漏极电流及良好的热性能,广泛应用于电源管理和电机驱动领域。其便捷的封装形式及优异的电气特性,使其成为设计人员在选择合适的 MOSFET 解决方案时的理想选择。在当前高效能和节能减排的推动力下,IRFL9110TRPBF 的优势将为其在未来的市场中带来更多机遇。