IRFB38N20DPBF
IRFB38N20DPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 43A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 54 毫欧 @ 26A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 91nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2900pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），300W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB38N20DPBF手册
IRFB38N20DPBF概述
IRFB38N20DPBF 产品概述
一、基本信息
IRFB38N20DPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，广泛用于高功率开关和放大应用。根据其规格参数，这款器件能够在高达 200V 的漏极源极电压下稳定工作，并且在适当的散热条件下，可以支持连续漏极电流达到 43A。凭借其低导通电阻和出色的温度特性，IRFB38N20DPBF 特别适合于电源转换、电机驱动、LED 驱动等多种应用场景。
二、关键特性
高压能力: IRFB38N20DPBF 的最大漏源电压（Vdss）为 200V，使其适用于高压电源和电机控制应用。
高电流承载能力: 在 25°C 环境温度下，其连续漏极电流（Id）可达 43A，这使得器件在高功率负载下表现优异。
低导通电阻: 在 10V 的栅极驱动电压情况下，IRFB38N20DPBF 的最大导通电阻（Rds On）仅为 54 毫欧，在 26A 的电流下表现尤为突出。这一特性有效降低了开关损耗与热量产生，提升了整体效率。
良好的温度稳定性：该器件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 175°C 的高温环境中均能稳定工作，因此适用于极端温度环境下的应用。
输入电容特性: 输入电容（Ciss）最大值为 2900pF（@25V），此特性有助于在高频率应用中保持信号度，确保快速开关操作。
极低的栅极电荷: IRFB38N20DPBF 的栅极电荷（Qg）最大值为 91nC，这使其具备快速开关能力，有效降低了驱动能耗。
可靠的封装设计: 采用 TO-220AB 封装形式，使得器件易于散热，同时其通孔安装类型适配广泛的 PCB 设计，便于集成与布线。
三、应用领域
IRFB38N20DPBF 的特点使其广泛应用于以下领域：
开关电源: 能够在高效率的开关电源设计中，作为主要的功率开关元件，提供良好的电能转化效率和热管理。
电机控制: 在 DC 电机驱动和无刷电机控制中，凭借其高电流能力和迅速响应特点，能够有效实现精确的速度与转矩控制。
LED 驱动: 在 LED 照明系统中，使用 IRFB38N20DPBF 可提高整体工作效率，减少能量浪费。
电池管理系统: 适用于电池充放电管理，能够高效控制能量流向及保持电池性能。
四、总结
IRFB38N20DPBF 是一款卓越的 N 通道 MOSFET，适用于各类高功率、高效率的电子设计。其高电压、高电流的特性及优秀的导通电阻表现，使得该器件在电源转换和电机控制等领域具有重要的市场竞争力。在选择适合的功率开关时，IRFB38N20DPBF 显然是一个值得考虑的理想选择。
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