IRF9317TRPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRF9317TRPBF

商品编码: BM0000281355
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.275g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 16A 1个P沟道 SOIC-8
库存 :
14872(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
2.85
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.85
--
100+
¥2.28
--
1000+
¥2.03
--
2000+
¥1.92
--
4000+
¥1.83
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF9317TRPBF参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)16A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6.6 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 50µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)92nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2820pF @ 15V
功率耗散(最大值)2.5W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

IRF9317TRPBF手册

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IRF9317TRPBF概述

IRF9317TRPBF 产品概述

概要

IRF9317TRPBF 是一款高性能的 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有优秀的电气特性和广泛的应用潜力。该产品由全球知名的半导体制造商英飞凌(Infineon)生产,旨在满足各种低功耗电子设备的需求。其相对较小的封装形式(SO-8)使其在空间受限的设计中非常受欢迎,同时具备出色的热性能和电气性能。

核心规格

  • FET 类型: P 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 最大连续漏极电流(Id): 16A(在 25°C 环境温度条件下)
  • 导通电阻(Rds(on)): 6.6 毫欧(在 10V 时,流经电流为 16A)
  • 栅极驱动电压(Vgs): 4.5V(最小)至 10V(最大)
  • Vgs(th)(阈值电压): 最高 2.4V(在 50µA 流过时)
  • 栅极电荷 Qg: 最大 92nC(在 10V 时)
  • 输入电容 Ciss: 最大 2820pF(在 15V 下)
  • 功率耗散: 最大 2.5W
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C
  • 封装形式: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

功能与应用

IRF9317TRPBF 的设计使其非常适合用于电源管理、电机驱动、负载开关和其他需要高电流控制的装置。其低导通电阻特性(Rds(on) 6.6 毫欧)使其在高效能应用中表现优异,有助于降低功耗并提高系统的整体效率。

此外,该MOSFET还具备宽广的工作温度范围,从 -55°C 到 150°C,使得其在极端环境下依然能够稳定工作,满足自动化、汽车电子及工业设备等严苛应用的需求。

电气特性

该设备的阈值电压(Vgs(th) 最大 2.4V)确保其在低电压驱动下也能够迅速开启,展现出良好的开关特性。同时,较低的栅极电荷(Qg 92nC)使其在高频开关应用中表现出色,能够提升开关频率,从而减少开关损耗。

封装与安装

IRF9317TRPBF 采用 8-SOIC 封装,适合表面贴装(SMD)技术,提供简单的安装机制。这种小型封装极大地减少了PCB 板的空间占用,同时也简化了焊接工艺,非常适合现代紧凑电子设备的设计要求。

竞争优势

作为英飞凌的产品,IRF9317TRPBF 的可靠性与质量有保障,适用于多种应用,同时通过其强大的电气参数和耐用性确保在各种应用中表现出色。凭借优越的性能和适中的价格,该MOSFET成为市场上竞争力强的选择。

结论

IRF9317TRPBF MOSFET 的一种卓越的 P 通道场效应管,不仅体现了高效率和稳定性,还为设计工程师提供了极大的灵活性。无论是在电源管理、电动机驱动,还是在负载开关等多种应用场景中,IRF9317TRPBF 都是理想的解决方案。其小巧的 SO-8 封装和极佳的 thermal性能,使其在众多现代电子设备中的采用变得更加广泛。