FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 6.6 毫欧 @ 16A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 50µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 92nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2820pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
IRF9317TRPBF 是一款高性能的 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有优秀的电气特性和广泛的应用潜力。该产品由全球知名的半导体制造商英飞凌(Infineon)生产,旨在满足各种低功耗电子设备的需求。其相对较小的封装形式(SO-8)使其在空间受限的设计中非常受欢迎,同时具备出色的热性能和电气性能。
IRF9317TRPBF 的设计使其非常适合用于电源管理、电机驱动、负载开关和其他需要高电流控制的装置。其低导通电阻特性(Rds(on) 6.6 毫欧)使其在高效能应用中表现优异,有助于降低功耗并提高系统的整体效率。
此外,该MOSFET还具备宽广的工作温度范围,从 -55°C 到 150°C,使得其在极端环境下依然能够稳定工作,满足自动化、汽车电子及工业设备等严苛应用的需求。
该设备的阈值电压(Vgs(th) 最大 2.4V)确保其在低电压驱动下也能够迅速开启,展现出良好的开关特性。同时,较低的栅极电荷(Qg 92nC)使其在高频开关应用中表现出色,能够提升开关频率,从而减少开关损耗。
IRF9317TRPBF 采用 8-SOIC 封装,适合表面贴装(SMD)技术,提供简单的安装机制。这种小型封装极大地减少了PCB 板的空间占用,同时也简化了焊接工艺,非常适合现代紧凑电子设备的设计要求。
作为英飞凌的产品,IRF9317TRPBF 的可靠性与质量有保障,适用于多种应用,同时通过其强大的电气参数和耐用性确保在各种应用中表现出色。凭借优越的性能和适中的价格,该MOSFET成为市场上竞争力强的选择。
IRF9317TRPBF MOSFET 的一种卓越的 P 通道场效应管,不仅体现了高效率和稳定性,还为设计工程师提供了极大的灵活性。无论是在电源管理、电动机驱动,还是在负载开关等多种应用场景中,IRF9317TRPBF 都是理想的解决方案。其小巧的 SO-8 封装和极佳的 thermal性能,使其在众多现代电子设备中的采用变得更加广泛。