IRF840PBF
IRF840PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 8A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 850mΩ @ 4.8A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 125W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 850 毫欧 @ 4.8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 63nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF840PBF手册
IRF840PBF概述
IRF840PBF 产品概述
产品概述： IRF840PBF 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其在电力电子应用领域广泛应用。该器件由著名的制造商 VISHAY（威世）生产，具有优异的电气特性和耐用性，尤其适用于高压低至中电流的应用环境。
基本规格： IRF840PBF 的最大漏源电压（Vdss）为 500V，能够处理高达 8A 的连续漏极电流（Id）。其在 25°C 的环境温度下工作，最大功率耗散能力为 125W，这使得该器件在高负载条件下的运行变得可靠而安全。
导通性能： 该 MOSFET 的漏源导通电阻（Rds(on)）为 850 毫欧 @ 4.8A 和 10V 的栅源电压。这一参数在开关应用中至关重要，较低的导通电阻意味着在工作时的功耗更少，从而提高整体能效。栅源阈值电压（Vgs(th)）为 4V @ 250μA，这对于驱动器（如微控制器或其他逻辑电路）提供了适合的输入条件，确保该元件不会过早或过迟进入导通状态。
输入与输出特性： 分享输入电容（Ciss）为 1300pF @ 25V，能够有效满足快速开关频率需求，同时使开关通道更灵活。同时，栅极电荷（Qg）为 63nC @ 10V，这意味着在驱动时所需的能量较低，进一步降低了系统的复杂性与功耗。
工作温度范围： IRF840PBF 具备广泛的工作温度范围，从 -55°C 到 150°C，保证了其在极端环境下的可靠性与稳定性，这对于工业或汽车应用尤为重要。
封装类型： 该 MOSFET 的封装采用 TO-220AB，通孔安装设计，易于热管理与散热，适合较高功率密度的应用。TO-220 封装可以有效实现散热，确保器件在长时间高负荷工作时仍保持良好的性能。
应用场景： IRF840PBF 可广泛应用于多种电子电路，如 DC-DC 转换器、逆变器、高频开关电源、马达驱动电路及其他电力电子设备。尤其在需要高压和较大电流输出的电力界面时，可以实现高效的能量控制，为整机系统的性能提升提供支持。
总结： 综合来看，IRF840PBF 提供了高电压和高电流处理能力，与极低的导通电阻和良好的热管理性能使其成为理想的 MOSFET 选择。无论在商业、工业还是汽车电子应用领域，该器件均能为设计工程师提供高效与可靠的解决方案，是现代电力电子设备不可或缺的优质元件之一。