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IRF840APBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-220(TO-220-3)
包装 :
管装
重量 :
2.64g
描述 :
场效应管(MOSFET) 125W 500V 8A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
4716(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
3.53按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.53
--
50+
￥2.71
--
1000+
￥2.26
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF840APBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 850 毫欧 @ 4.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 38nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1018pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF840APBF手册
无数据
IRF840APBF概述
产品概述：IRF840APBF MOSFET
概述
IRF840APBF 是由知名半导体制造商 VISHAY（威世）生产的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），该器件专为高压应用而设计，具有出色的开关特性和热管理能力。作为 TO-220 封装类型的 MOSFET，IRF840APBF 广泛应用于较高功率的电子设备中，尤其是电源转换、电动机驱动和其他工业控制系统。
技术参数
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
- 漏源电压（Vdss）: 500V，适用于高压应用
- 连续漏极电流（Id @ 25°C）: 8A，适合高负载条件
- 最大 Rds On: 850 毫欧 @ 4.8A，10V，确保低损耗特性
- 栅极源电压（Vgs 最大值）: ±30V，提供灵活的驱动范围
- 阈值电压（Vgs(th) 最大值）: 4V @ 250µA，帮助控制和开关逻辑的高效转换
- 栅极电荷（Qg 最大值）: 38nC @ 10V，优化了开关速度
- 输入电容（Ciss 最大值）: 1018pF @ 25V，影响开关频率性能
- 功率耗散（Pd 最大值）: 125W（Tc），提供强大的热管理能力
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C（TJ），适应极端环境条件
- 安装类型: 通孔，方便在各种电路板上的布线
- 封装形式: TO-220AB，适合散热需求较高的应用
应用场景
IRF840APBF 由于其高电压和电流处理能力，广泛应用于以下领域：
- 电源转换：在各种电源模块中，如 DC-DC 转换器和变换器中，作为开关元件使用。
- 电动机驱动：可用于直流电动机及步进电动机的驱动电路，提供平稳的电流控制和高效能。
- 工业控制：用于机器人和自动化设备中，可作为开/关控制的关键元件。
- LED 驱动：其低 Rds On 特性使其成为高效 LED 驱动电路的理想选择。
- 电力电子：涉及高功率逆变器、柔性交流输电系统（FACTS）及其他高功率电力设备。
性能优势
IRF840APBF 的设计考虑了高效能和可靠性优势，具体体现在以下几个方面：
- 低导通电阻：850 毫欧的导通电阻确保在大电流条件下的低功耗，降低了热量产生。
- 高压能力：500V 的漏源电压允许其在多种高电压应用场合安全运行。
- 良好的热性能：125W 的功耗能力使其可以在较高负载电流下稳定工作，配合 TO-220 封装具备良好散热结合。
- 宽工作温度范围：适用 -55°C 至 150°C 的工作环境，使其可在极端气候条件下发挥稳定性能。
总结
作为一款出色的 N 通道 MOSFET，IRF840APBF 结合了高电压、高电流和优良的电源效率，使其在多种工业和消费电子应用中均具有极大的市场需求和可靠性。VISHAY 的创新设计确保了这一器件能够在其指定的应用领域中提供卓越的性能和长期稳定的服务。