IRF620PBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
2.75g
描述 :
场效应管(MOSFET) 50W 200V 5.2A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.18按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.18
--
50+
￥2.44
--
1000+
￥2.03
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF620PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5.2A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 800mΩ @ 3.1A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 50W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.2A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 800 毫欧 @ 3.1A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 260pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 50W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF620PBF手册
IRF620PBF概述
IRF620PBF 产品概述
产品概述
IRF620PBF 是一款具有高耐压、高电流能力的 N 沟道 MOSFET（场效应晶体管），由 VISHAY（威世）公司制造。其主要特点是漏源电压（Vdss）高达 200V，能够承受高达 5.2A 的连续漏极电流，尤其在高功率应用领域展现出色的性能。此型号采用 TO-220AB 封装，适合于通孔安装，常用于电源转换、开关电路及其他高速开关应用。
主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 200V，这使得该 MOSFET 在高压应用中表现良好，可以适应不同的工作环境。
- 持续漏极电流（Id）: 5.2A（在 25°C 下），意味着该器件能够在高负载情况下稳定工作。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 250µA，代表了从关闭状态到开启状态的关键电压。这一阈值确保了设备在合适的驱动电压下可以快速响应。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 800mΩ @ 3.1A, 10V，低导通电阻确保了在开关工作时能将能量损耗降到最低，从而提高整体效率。
- 最大功率耗散: 50W（在 Tc=25°C）使得这个元器件在高功率应用中具备良好的散热性能，适合与散热片一起使用以提高散热能力。
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C，能够在极端环境条件下工作，确保了其在恶劣条件下的稳定性。
- 封装格式: TO-220AB，这种封装形式在散热和连接方面非常实用，也是常用的功率元件封装类型。
应用场景
IRF620PBF 可广泛应用于各种电子电路中，例如：
- 电源转换器: 用于高效的 DC-DC 转换电路，能有效地转换电压水平，满足不同负载的需求。
- 逆变器: 在太阳能和风能等可再生能源系统中作为能量转换的核心部件，能够将直流电转换为交流电。
- 电机控制器: 由于其高压和高电流能力，也非常适合于电机驱动电路中，尤其是在需要精确控制电机启停和转速的场合。
- 开关电路: 用于自动化设备和驱动电路中，能够快速切换电流，控制设备的启停。
性能优势
- 高效能: 低导通电阻和高功率耗散能力使得 IRF620PBF 在实现高效能应用时表现优异，适用于高功率密度设计。
- 可靠性: 广泛的工作温度范围和高耐压能力确保了其在各种环境条件下的稳定性，适合于工业与消费电子领域。
- 易于使用: TO-220AB 封装方便散热和安装，能够轻松集成到各种电路设计中。
结论
IRF620PBF 是一款优秀的 N 沟道 MOSFET，凭借其优异的电气性能、高耐压和高电流能力，适用于多个领域的应用需求。无论是在电源管理、电机控制还是与可再生能源相关的设备中，IRF620PBF 都可以作为关键组件，助力开发高效、可靠的电子系统。通过合理的设计与使用，工程师能够充分发挥该 MOSFET 的性能，满足现代电子设备日益增长的需求。