IRF3415PBF
IRF3415PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 43A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 42 毫欧 @ 22A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 200nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2400pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 200W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF3415PBF手册
IRF3415PBF概述
IRF3415PBF 产品概述
概述
IRF3415PBF 是一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），专为高压和高电流应用而设计。其优越的散热性能和小的导通电阻使其成为电源转换、马达驱动和高效开关电源等广泛应用的理想选择。作为 Infineon（英飞凌）公司的产品，IRF3415PBF 展现出卓越的可靠性和稳定性，适合严苛的工作环境。
主要特性
高电压与高电流承载能力： IRF3415PBF 的漏源电压（Vdss）达到 150V，并且在 25°C 时的连续漏极电流（Id）可达到 43A，充分满足高电压和大电流应用的需求。
低导通电阻： 该 MOSFET 在 10V 的栅极驱动电压下，针对不同的漏极电流（Id），其最大导通电阻（Rds（on））仅为 42 毫欧（@ 22A）。低导通电阻确保在工作时能显著降低热量产生，提高了系统的能效。
广泛的工作温度范围： IRF3415PBF 的工作温度范围为 -55°C ~ 175°C（TJ），适合各种高温或低温的工业应用，保证了即使在极端条件下也能正常工作。
高功率耗散能力： 这款 MOSFET 的最大功率耗散能力为 200W（Tc），在多种应用场合下表现出色，尤其是在较大功率负载的情况下。
快速开关能力： IRF3415PBF 的栅极电荷（Qg）最大值为 200nC（@ 10V），这使其具有较快的开关速度，满足高频应用的需求。
良好的输入电容特性： 输入电容（Ciss）在 25V 条件下的最大值为 2400pF，确保在高频信号下仍能保持良好的开关性能，减小开关损耗。
封装与安装： IRF3415PBF 采用 TO-220AB 封装，方便通孔安装，适合各种布局设计，且提供优良的散热性能。
应用领域
IRF3415PBF 由于其卓越的电学性能和广泛的适用性，广泛应用于以下领域：
电源管理： 可用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器以及各种电源适配器，因其高效和低损耗的特性，有助于实现高效能的电源转换。
马达控制： 适合用于马达驱动器和工业电机控制电路，能够处理高电流的电机启动和运行。
通信设备： 可用于消费电子产品的电源模块以及基站的高效电源管理。
汽车电子： 在汽车动力系统中也有广泛应用，例如电动车的驱动系统、车载逆变器等。
LED 驱动： 可用于高功率 LED 照明的驱动电路，高效驱动的能力能保证 LED 的高亮度和长寿命。
总结
IRF3415PBF 是一款优质的 N 通道 MOSFET，凭借其高电压承载能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围，适合多种高性能、高效率的电子应用。无论是一般的电源管理、还是严苛的工业马达控制，IRF3415PBF 均可提供可靠的解决方案，帮助工程师设计更高效、稳定的电子产品。通过持续的创新与改进，Infineon 荟萃了先进的半导体制造技术，为客户提供了更高性能的电子元器件选择。