安装类型 | 表面贴装型 | 驱动配置 | 半桥 |
输入类型 | RC 输入电路 | 通道类型 | 同步 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
工作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 上升/下降时间(典型值) | 80ns,45ns |
电压 - 供电 | 10V ~ 15.6V | 高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V |
IR2153STRPBF是一款高性能的半桥栅极驱动器IC,专为驱动N沟道MOSFET而设计。其采用表面贴装型封装(SOIC-8),非常适合对电路空间要求苛刻的现代电子应用。IR2153STRPBF具有宽广的工作温度范围(-40°C到125°C),适合在严苛的环境条件下稳定工作,是高压驱动系统的理想选择。
IR2153STRPBF的特点包括:
IR2153STRPBF采用SOIC-8的封装,具有紧凑的体积,适合表面贴装,便于在现代电子设计中实现高密度组装。此外,SOIC-8封装保证了良好的散热性能,符合高性能应用的需求。
IR2153STRPBF广泛应用于各种领域,包括但不限于:
IR2153STRPBF凭借其优越的性能参数和丰富的应用场景,成为许多设计师的首选。其高压能力、快速开关时间及坚固的工作温度范围使其在同类产品中脱颖而出。并且,由于英飞凌在功率电子领域的领导地位,设计师可以依赖于该产品的高质量和稳定性。
IR2153STRPBF不仅是一个优质的半桥栅极驱动器,它的设计和性能使其在现代电力电子应用中展现了广泛的适应性和高效性。从开关电源到电机控制,IR2153STRPBF的应用潜力无疑将推动更高效、环保的电子设备的开发与应用,为实现智能化和自动化助力。