功率(Pd) | 82W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 30pF@100V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 650mΩ@10V,2.4A |
工作温度 | -40℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 20.5nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 650V | 输入电容(Ciss@Vds) | 440pF@100V |
连续漏极电流(Id) | 9.9A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@0.2mA |
基本信息
IPD60R650CE是一款由英飞凌(Infineon)制造的高性能场效应管(MOSFET),它采用PG-TO252-3封装。该器件具有优异的电气特性,特别适用于高频开关应用,广泛应用于电源管理、电动机驱动和其他需要高效能的电力电子系统中。
技术参数
这种高电压和高电流处理能力使IPD60R650CE非常适合于电源转换器、逆变器、各类负载开关和电动机控制器等领域。
性能特点
高效能:IPD60R650CE的低导通电阻使其在通电状态下的能量损耗显著降低,提升了整体能效。不仅有助于降低热量生成,还减少了散热设计的复杂性。
优秀的开关特性:这款MOSFET能够在高频条件下稳定工作,使得它在开关电源和其他需要快速开关的电路中具有显著优势,能够实现更小的体积和更高的功率密度。
宽工作温度范围:IPD60R650CE支持广泛的工作温度范围,适应各种苛刻的环境条件,使其广泛应用于工业控制、汽车电子等领域。
良好的热管理:由于该器件的散热性能优越,能够有效管理在高负荷操作条件下的温度,提高了系统的可靠性。
应用场景
IPD60R650CE广泛应用于多个领域,其中包括:
结论
综上所述,IPD60R650CE作为一种高压、高电流的MOSFET,凭借其低导通电阻、优秀的开关特性和良好的散热性能,成为了电源管理和电动机驱动应用中的理想选择。英飞凌的这一产品为现代电力电子设备提供了强大而可靠的支持,适应广泛的工业和民用市场需求,帮助设计工程师实现高效、节能的电源设计。通过利用IPD60R650CE,您可以提升整个系统的性能和效率,同时优化设计成本和热管理。