IPD60R650CE 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IPD60R650CE

商品编码: BM0000281344
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-TO252-3
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) IPD60R650CE TO-252-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.33
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.33
--
100+
¥2.57
--
1250+
¥2.23
--
2500+
¥2.1
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

IPD60R650CE参数

功率(Pd)82W反向传输电容(Crss@Vds)30pF@100V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)650mΩ@10V,2.4A
工作温度-40℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)20.5nC@10V
漏源电压(Vdss)650V输入电容(Ciss@Vds)440pF@100V
连续漏极电流(Id)9.9A阈值电压(Vgs(th)@Id)3.5V@0.2mA

IPD60R650CE手册

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IPD60R650CE概述

IPD60R650CE 产品概述

基本信息

IPD60R650CE是一款由英飞凌(Infineon)制造的高性能场效应管(MOSFET),它采用PG-TO252-3封装。该器件具有优异的电气特性,特别适用于高频开关应用,广泛应用于电源管理、电动机驱动和其他需要高效能的电力电子系统中。

技术参数

  • 额定电压(Vds):600V
  • 额定电流(Id):60A
  • 导通电阻(Rds(on)):低于0.65Ω(Vgs=10V)
  • 开关频率:支持高频开关应用

这种高电压和高电流处理能力使IPD60R650CE非常适合于电源转换器、逆变器、各类负载开关和电动机控制器等领域。

性能特点

  1. 高效能:IPD60R650CE的低导通电阻使其在通电状态下的能量损耗显著降低,提升了整体能效。不仅有助于降低热量生成,还减少了散热设计的复杂性。

  2. 优秀的开关特性:这款MOSFET能够在高频条件下稳定工作,使得它在开关电源和其他需要快速开关的电路中具有显著优势,能够实现更小的体积和更高的功率密度。

  3. 宽工作温度范围:IPD60R650CE支持广泛的工作温度范围,适应各种苛刻的环境条件,使其广泛应用于工业控制、汽车电子等领域。

  4. 良好的热管理:由于该器件的散热性能优越,能够有效管理在高负荷操作条件下的温度,提高了系统的可靠性。

应用场景

IPD60R650CE广泛应用于多个领域,其中包括:

  • 电源转换器:在开关电源(SMPS)中,作为转换器的主开关,以实现高效能的能量转换过程。
  • 电动机驱动:可用于电动机控制系统,尤其是在高性能驱动的场合,保证电机的高效驱动及响应速度。
  • 逆变器:在太阳能逆变器和UPS系统中,可以快速地切换激活/关闭功率通路,实现重要的电力转换功能。
  • 自动化设备:在工业控制和自动化设备中,作为负载开关和功率控制元件,确保系统的高效运行。

结论

综上所述,IPD60R650CE作为一种高压、高电流的MOSFET,凭借其低导通电阻、优秀的开关特性和良好的散热性能,成为了电源管理和电动机驱动应用中的理想选择。英飞凌的这一产品为现代电力电子设备提供了强大而可靠的支持,适应广泛的工业和民用市场需求,帮助设计工程师实现高效、节能的电源设计。通过利用IPD60R650CE,您可以提升整个系统的性能和效率,同时优化设计成本和热管理。