IPB072N15N3G

产品概述：IPB072N15N3G

在现代电子电路中，功率电子元件的性能直接影响到系统的效率和可靠性。IPB072N15N3G是一款高效能的N沟道场效应管（MOSFET），由著名半导体制造商英飞凌（Infineon）推出，具有卓越的电流承载能力和低导通阻抗，专为高功率应用设计。

基本参数

1. 漏源电压（Vdss）：150V

   • 这款MOSFET的漏源击穿电压为150V，使其适用于高电压环境下的电源管理系统。这一特性确保了在高电压场景中具备良好的安全性和可靠性。

2. 连续漏极电流（Id）：100A @ 25°C

   • 在恒定温度条件下（25°C），该MOSFET能够承受的最大连续漏极电流为100A。这一参数非常适合需要处理大电流的应用，如电源转换器、马达驱动器以及其他工业自动化设备。

3. 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：4V @ 270μA

   • 到达导通状态所需要的最低栅源电压为4V，表明该器件能够在相对较低的电压下迅速导通并提高效率。这一点对于PWM控制电路和高频开关应用尤其重要。

4. 漏源导通电阻（Rds(on)）：7.2mΩ @ 100A, 10V

   • 该器件具备非常低的导通电阻，7.2mΩ，特别是在100A及10V操作条件下。这降低了电能损耗，有助于改善散热性能，并提高整体系统效率。

5. 最大功率耗散（Pd）：300W @ Ta=25°C

   • 在环境温度为25°C的情况下，该MOSFET的最大功率耗散可达300W，这使得其能够在高功率应用中运行，为各种工业和消费类电子设备提供强劲的电源支持。

结构与封装

IPB072N15N3G采用PG-TO263-3封装，紧凑且具有良好的散热性能。TO-263是符合工业标准的表面贴装封装，具有较大的接触面积，能有效降低器件的工作温度。这种设计也使得其在空间受到限制的应用中成为理想选择。此外，封装设计还方便了自动化贴片装置的操作，提高了生产效率。

应用场景

IPB072N15N3G广泛应用于电源转换器、马达驱动、开关电源、UPS（不间断电源）、充电器、高功率AC/DC转换器及各种工业设备中。其高电压、高电流及低导通阻抗的特性使其成为高效能电源管理和控制领域的重要组件。

性能优势

1. 高效率与低功耗

   • MOSFET的低导通电阻和快速开关特性使其在运行中能最大程度减少能量损耗，提高系统整体效率。

2. 热管理出色

   • 高功率耗散能力及良好的散热封装设计保障了长时间高负荷运行的稳定性。

3. 可靠性与安全性

   • 英飞凌作为业界知名品牌，其产品经过严格测试，确保在最苛刻的工况下也能保持可靠性，降低因元件故障导致的停机风险。

总结

IPB072N15N3G N沟道MOSFET是一款兼具高效率和可靠性的全能元件，非常适合在多种高功率电源应用中使用。随着科技不断进步，对功率电子器件的性能要求也在不断提升，IPB072N15N3G的推出无疑将为广泛的行业应用提供强有力的支撑。随着电力电子技术的不断演化，选择高性能元件将是确保电子设备高效运行的重要一环。