隔离 | 40dB | P1dB | 29dBm |
工作温度 | -40°C ~ 85°C | 射频类型 | 手机,ISM,PCS |
插损 | 0.7dB | 电路 | SPDT |
频率范围 | DC ~ 3.5GHz | IIP3 | 50dBm(最小) |
测试频率 | 3.5GHz | 拓扑 | 吸收 |
阻抗 | 50 欧姆 | 封装/外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘 |
供应商器件封装 | 8-MSOPG |
HMC284AMS8GETR 是一款高性能的射频开关集成电路(IC),专为各种射频应用而设计,特别适用于手机、ISM(工业、科学和医疗)以及PCS(个人通信服务)频段。该器件具备卓越的隔离性能和低插损,适合于多种应用场景,包括射频链路中的信号切换和通信系统的信号路由。
频率范围:HMC284AMS8GETR 支持从直流(DC)到 3.5 GHz 的工作频率范围,能够覆盖典型的移动通信频段和一些工业应用频率,从而使其在现代无线通信中具有广泛的应用潜力。
隔离度:该射频开关具有高达 40 dB 的隔离度,极大地减少了信号之间的干扰,确保系统性能的可靠性和稳定性。
插损:HMC284AMS8GETR 的插损为 0.7 dB,对信号传输影响极小,有助于保持信号质量,降低功率损耗。
输出功率(P1dB):该元器件的非线性失真在输出功率达到 29 dBm 时才会显现,意味着即使在较高的输入功率下,也能保持较好的线性性能。
第三阶交调点(IIP3):最小的 IIP3 达到 50 dBm,这一参数表明该开关能够在处理多个信号时,保持良好的线性性能,从而降低多信号干扰带来的影响。
工作温度:该器件的工作温度范围为 -40°C 至 85°C,适应了广泛的环境条件,能够在各种恶劣的工业和商业环境中稳定工作。
阻抗:器件的阻抗为 50 欧姆,符合大多数射频系统的设计规范,易于与其它 RF 组件匹配。
封装:HMC284AMS8GETR 采用 8-MSOPG 封装,尺寸紧凑,便于集成到各种电路板设计中。该封装配置也包含裸露焊盘,简化了 PCB 的焊接和装配过程。
无线通信:HMC284AMS8GETR 特别适合用于手机和其他无线通信设备中,能够用于各类天线选择应用,信号分配和多模态通信系统。
ISM 频段设备:因其优良的隔离特性和低插损性能,该设备非常适合用于 ISM 应用中,如无线传感器网络、汽车遥控系统等。
个人通信服务(PCS):在 PCS 系统中,HMC284AMS8GETR 可以高效地实现信号的路由,确保在不同频段之间的顺畅切换。
HMC284AMS8GETR 是一款专注于高频段射频开关需求的集成电路,集成了先进的RF设计技术,满足现代通信系统对于信号传输的高性能要求。凭借其卓越的隔离、低插损、广泛的工作频率和优良的温度适应性,该产品在射频领域具有很高的实用性和可靠性,适合集成于各种无线和射频应用中。对于设计者而言,选择 HMC284AMS8GETR 将为其无线通信产品带来显著的性能提升和稳定性。