FZT855TA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

FZT855TA

商品编码: BM0000281304
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
0.232g
描述 : 
三极管(BJT) 3W 150V 5A NPN SOT-223-3
库存 :
388(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
3.28
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.28
--
50+
¥2.52
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

FZT855TA参数

额定功率3W集电极电流Ic5A
集射极击穿电压Vce150V晶体管类型NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)5A电压 - 集射极击穿(最大值)150V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)355mV @ 500mA,5A电流 - 集电极截止(最大值)50nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1A,5V功率 - 最大值3W
频率 - 跃迁90MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装SOT-223

FZT855TA手册

FZT855TA概述

FZT855TA 产品概述

FZT855TA 是一款高功率 NPN 型晶体管,其设计旨在满足多种电子应用的需求,尤其适用于需要低饱和电压和高电流输出的场合。该器件具有较高的额定功率和电压能力,使其在工业和消费电子领域都有广泛的应用潜力。

基本参数

  • 额定功率: 3W
  • 集电极电流 (Ic): 最大 5A
  • 集射极击穿电压 (Vce): 最大 150V
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大 50nA

FZT855TA 的集电极电流 Ic 阈值达到 5A,这使得该晶体管能够驱动较大的负载,适合用于功率放大和开关电路。其集射极击穿电压 Vce 的最大值为 150V,提供了良好的耐压特性,能有效防止电压波动对电路造成的损害。

性能特点

  • 饱和压降 (Vce(sat)): FZT855TA 在不同的 Ib 和 Ic 条件下,表现出优越的饱和压降特性。具体来说,在 500mA 和 5A 的条件下,其 Vce 的最大饱和压降为 355mV。这一特性意味着在开关应用中,可以有效减少功耗,并提高电路的效率。
  • 直流电流增益 (hFE): 在 1A 和 5V 的情况下,FZT855TA 的最小 DC 电流增益为 100,确保在信号放大应用中能够提供良好的线性性能。
  • 跃迁频率: 该晶体管具有高达 90MHz 的跃迁频率,适用于高频信号处理,广泛应用于RF (射频) 设备和开关电源等领域。

工作环境及封装

FZT855TA 能够在宽广的工作温度范围内稳定运行,工作温度范围为 -55°C 至 150°C。这种高温性能使得该元件可以在严苛的工业环境中正常工作。

在封装方面,FZT855TA 采用 SOT-223 表面贴装型封装,便于在现代电子设备中集成,特别适合于自动化生产。小巧的封装设计使其在空间有限的应用场景下更具优势。

应用场景

FZT855TA 的性能特点使其适合于以下应用:

  1. 开关电源: 由于其高电流能力和低饱和压降,该晶体管可用于开关电源输入和输出级,有效提高电源转换效率。
  2. 功率放大: 在音频放大器和射频放大器电路中,FZT855TA 的高增益特性可以被充分利用,以驱动大功率负载。
  3. 马达驱动: 由于其能够承受较大的集电极电流,FZT855TA 也可以用于直流马达驱动电路中,控制马达转速和启动/停止。
  4. 信号放大: 在传感器接口和调节电路中,FZT855TA 作为线性放大器可提供优异的增益性能,确保信号质量。

结论

总而言之,FZT855TA 是一款性能优越的 NPN 型晶体管,凭借其高功率、电流输出能力及低饱和压降,适合广泛的电子应用。无论是在消费电子、工业自动化还是汽车电子领域,FZT855TA 都展现出卓越的能力和可靠性,是设计师在选择晶体管时值得考虑的优质选项。