额定功率 | 3W | 集电极电流Ic | 5A |
集射极击穿电压Vce | 150V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 5A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 150V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 355mV @ 500mA,5A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1A,5V | 功率 - 最大值 | 3W |
频率 - 跃迁 | 90MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
FZT855TA 是一款高功率 NPN 型晶体管,其设计旨在满足多种电子应用的需求,尤其适用于需要低饱和电压和高电流输出的场合。该器件具有较高的额定功率和电压能力,使其在工业和消费电子领域都有广泛的应用潜力。
FZT855TA 的集电极电流 Ic 阈值达到 5A,这使得该晶体管能够驱动较大的负载,适合用于功率放大和开关电路。其集射极击穿电压 Vce 的最大值为 150V,提供了良好的耐压特性,能有效防止电压波动对电路造成的损害。
FZT855TA 能够在宽广的工作温度范围内稳定运行,工作温度范围为 -55°C 至 150°C。这种高温性能使得该元件可以在严苛的工业环境中正常工作。
在封装方面,FZT855TA 采用 SOT-223 表面贴装型封装,便于在现代电子设备中集成,特别适合于自动化生产。小巧的封装设计使其在空间有限的应用场景下更具优势。
FZT855TA 的性能特点使其适合于以下应用:
总而言之,FZT855TA 是一款性能优越的 NPN 型晶体管,凭借其高功率、电流输出能力及低饱和压降,适合广泛的电子应用。无论是在消费电子、工业自动化还是汽车电子领域,FZT855TA 都展现出卓越的能力和可靠性,是设计师在选择晶体管时值得考虑的优质选项。