FZT653TA
FZT653TA参数
| 额定功率 | 2W | 集电极电流Ic | 2A |
| 集射极击穿电压Vce | 100V | 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 100V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 200mA，2A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 500mA，2V | 功率 - 最大值 | 2W |
| 频率 - 跃迁 | 175MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
FZT653TA手册
FZT653TA概述
FZT653TA 产品概述
概述
FZT653TA是一款高性能的NPN型晶体管，专为各种电子电路设计，能够有效地在多种应用场景中发挥作用。其核心特性包括能够承受最大集电极电流（Ic）高达2A，额定功率为2W，并具有100V的集射极击穿电压（Vce），适合高电压和高电流的需求。
产品特点
高频率响应： FZT653TA具备175MHz的跃迁频率，能够支持高速开关应用，非常适合需要快速响应的开关电源和射频（RF）应用。
低饱和压降： 在200mA的集电极电流下，其饱和压降（Vce(sat)）仅为500mV，这一特性在开关调节中可以有效降低功耗，提高电路的能效。
超小封装： FZT653TA采用SOT-223封装，这种小型表面贴装型设计便于在多样化的电路板上实现高密度布局，适合现代电子产品的紧凑设计需求。
宽工作温度范围： 工作温度范围为-55°C至150°C（结温），使其能够在极端环境中稳定工作，适用于工业、汽车和航空等应用。
良好的电流增益： 该产品在500mA集电极电流和2V电压条件下最小DC电流增益（hFE）为100，确保能够提供足够的放大效果，适合各种放大及开关应用。
应用领域
FZT653TA广泛应用于多种电子设备和电路中，包括：
开关电源： 由于其高集电极电流能力和低饱和压降，FZT653TA非常适合用于开关电源设计，可提高系统的整体效率。
音频放大器： 作为音频信号的放大器，FZT653TA能够提供高增益和良好的线性特性，使其成为音响设备中的优秀选择。
继电器驱动： 因具备较高的集电极电流，FZT653TA 可用于驱动继电器和其他负载，特别是在需要高电流开关的场合。
射频放大器： 其高频率特性使其适合用于RF应用中，如无线电发射和接收设备。
电气特性
- 额定功率: 2W
- 集电极电流 (Ic): 2A
- 集射极击穿电压 (Vce): 100V
- 饱和压降 (Vce(sat)): 500mV @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止 (ICBO): 100nA
- DC电流增益 (hFE): 最小100 @ 500mA，2V
- 最大频率 - 跃迁: 175MHz
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
封装信息
FZT653TA采用SOT-223封装，具有四个引脚，适合表面贴装技术（SMT）。这种封装方式提供了卓越的热管理性能和小型化设计的可能性，使其在现代电子产品设计中得到广泛应用。
总结
FZT653TA是一款功能强大、性能可靠的NPN型晶体管，具有出色的电气特性和设计灵活性。无论是在工业应用、消费电子还是其他高性能电子设备中，FZT653TA都能够满足设计师对于高集电极电流、低功耗和紧凑尺寸的需求。选择FZT653TA，意味着选择了一种能在严酷环境和多变需求下，依然能够保持稳定性能的理想解决方案。