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FQPF4N90C
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
TO-220F
包装 :
管装
重量 :
2.89g
描述 :
场效应管(MOSFET) 47W 900V 4A 1个N沟道 TO-220F-3
库存 :
87(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
6.54按整 :
管(1管有50个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.54
--
50+
￥5.04
--
500+
产品参数
产品手册
产品概述
FQPF4N90C参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 900V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.2 欧姆 @ 2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 960pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 47W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220F |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
FQPF4N90C手册
无数据
FQPF4N90C概述
FQPF4N90C产品概述
概述
FQPF4N90C是一款高性能的N沟道MOSFET，专为高压应用设计，具备出色的电气性能和热管理能力。该元件的最大漏源电压（Vdss）高达900V，适用于各种需要高电压和高电流的应用场景。其连续漏极电流（Id）为4A（在特定散热条件下），使其能够应对多种电力电子设备的需求，如开关电源、电机驱动器和高功率转换器等。
主要参数
电气特性:
- 最大漏源电压（Vdss）：900V
- 连续漏极电流（Id）：4A（在Tc=25°C时）
- 最大导通电阻（Rds On）：4.2Ω @ 2A, 10V
- 栅阈电压（Vgs(th)）：最大值为5V @ 250µA
- 最大栅极驱动电压（Vgs）：±30V
- 栅极电荷（Qg）：最大22nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）：最大960pF @ 25V
- 功率耗散：最大47W（在Tc条件下）
工作环境:
- 工作温度范围：-55°C至150°C，满足恶劣环境条件下的应用需求。
封装与安装:
- 采用TO-220F封装，适合通孔安装，便于散热处理和电路板设计。
应用场景
FQPF4N90C广泛应用于多个领域，尤其是在需要高效率和高功率的应用中，包括但不限于：
- 开关电源: 由于其高电压和电流处理能力，FQPF4N90C可用于各种开关电源设计，提供稳定的电力转换。
- 电机驱动器: 在电动机控制系统中，能够有效控制电机的开关状态，与PWM控制策略结合，提升系统整体性能。
- 高功率转换器: 适用于DC-DC转换器和逆变器等高功率应用，确保在高电流和高电压环境中运行。
- 工业自动化: 在各类工业设备中，作为功率开关使用，以实现高效能和可靠性。
性能优势
- 高压特性: 最大900V的漏源电压使其在高压系统中表现卓越，能有效防止击穿和故障，延长模块的使用寿命。
- 优越的热性能: 最大功率耗散为47W，结合TO-220封装，允许设计师在系统中整合良好的散热机制，满足高温环境运行的需求。
- 快速开关能力: 低栅极电荷特性（Qg=22nC），结合高导通电流，提供了极高的开关速度，降低功耗，提高转换效率。
结论
FQPF4N90C是一款高压N沟道MOSFET，其杰出的电气性能和热管理能力，使其在开关电源、电机控制、高功率转换等领域展示了广泛的应用潜力。由安森美(ON Semiconductor)生产的该器件，凭借其优越的性能，为设计师和工程师提供了理想的解决方案，以应对现代电子设备日益增加的功率需求与复杂性。在选择高效关键元件时，FQPF4N90C是一个值得信赖的选择。