FMMT723TA
FMMT723TA参数
| 额定功率 | 625mW | 集电极电流Ic | 1A |
| 集射极击穿电压Vce | 100V | 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 100V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 330mV @ 150mA，1A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 250 @ 500mA，10V | 功率 - 最大值 | 625mW |
| 频率 - 跃迁 | 200MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
FMMT723TA手册
FMMT723TA概述
FMMT723TA 产品概述
FMMT723TA 是一种高性能的 PNP 型晶体管，广泛应用于各种电子设备和电路中，以其优良的性能和设计灵活性而受到青睐。作为一款三极管，FMMT723TA 具备多种显著特性，使其适用于高频率和高功率的应用场景。以下是针对该产品的详细介绍，包括其基本参数、应用领域以及优势。
基本参数
FMMT723TA 的主要参数如下所示：
- 额定功率: 625mW
- 集电极电流 (Ic): 1A
- 集射极击穿电压 (Vce): 100V
- 饱和压降 (Vce(sat)): 在集电极电流为 150mA 和 1A 时，最大值为 330mV
- 截止集电极电流: 100nA
- 直流电流增益 (hFE): 在 Ic=500mA 和 Vce=10V 时，最小值可达到 250
- 频率: 200MHz 的跃迁频率
- 工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C 的温度范围
- 封装形式: SOT-23, TO-236-3 或 SC-59 等小型表面贴装型设备
- 制造商: DIODES（美台）
应用领域
FMMT723TA 的设计使其适用于多种电子应用，包括但不限于：
放大器电路: FMMT723TA 能够在音频和射频应用中作为高增益放大器，满足对信号放大的需求。
开关电路: 由于其高集电极电流能力（1A），该晶体管可用于各种开关电路，可以有效控制电流开关，适应各种负载。
线性调节器: 利用其稳定的性能和较低的饱和压降，FMMT723TA 可用于线性电源设计，提供稳定的电压输出。
信号转换: 该晶体管在信号转换和调制电路中，能够有效地提高数据传输的质量与稳定性。
优势
FMMT723TA 作为一种高性能 PNP 晶体管，具有多个优势：
低功耗: 在具有较大集电极电流的情况下，较小的饱和压减少少了功耗，提升了整体电路的能效。
高频响应: 200MHz 的跃迁频率使其在高速开关及高频应用中保持优良性能，降低了信号延迟。
工作温度范围广: 从 -55°C 到 150°C 的工作温度适应性，使其能够在各种严苛环境中稳定运行。
小型封装: SOT-23 等小型表面贴装封装不仅节省了 PCB 空间，同时也适应了现代电子产品对小型化和高集成度的需求。
结论
FMMT723TA 是一款功能强大且多用途的 PNP 晶体管，适合用于多种电子应用。凭借其优秀的电气特性和可靠的性能，FMMT723TA 可为现代电子设计提供理想的组件选择。考虑到其高功率处理能力和稳定的工作在极端条件下的能力，这款晶体管必将在许多领域（如消费电子、通信设备以及工业应用）中大放异彩。在选择适当的晶体管解决方案时，FMMT723TA 绝对值得推荐。