FMMT625TA
FMMT625TA参数
| 额定功率 | 625mW | 集电极电流Ic | 1A |
| 集射极击穿电压Vce | 150V | 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 150V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 50mA，1A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 300 @ 200mA，10V | 功率 - 最大值 | 625mW |
| 频率 - 跃迁 | 135MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
FMMT625TA手册
FMMT625TA概述
FMMT625TA 产品概述
简介
FMMT625TA 是一款高性能 NPN 型晶体管，专为较高频率和高压应用而设计。其额定功率为625mW，集电极电流最大可达1A，具有出色的电流增益和优良的温度特性，使其在多种电子电路中广泛应用，特别适合需要快速开关和放大功能的场合。
主要参数
- 类型：NPN
- 额定功率：625mW
- 集电极电流（Ic）最大值：1A
- 集射极击穿电压（Vce）最大值：150V
- Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 50mA，1A
- 集电极截止电流（Ib）最大值：100nA
- DC 电流增益（hFE）最小值：300 @ 200mA，10V
- 频率 - 跃迁：135MHz
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 封装类型：SOT-23（也被称为TO-236-3或SC-59）
应用领域
FMMT625TA 晶体管的特点使其适用于多种应用，包括但不限于：
- 高频放大电路
- 开关电源
- 线性调节器
- 音频功率放大器
- RF 及射频信号放大
- 数据采集系统
性能特点
高电流增益与高效率： FMMT625TA 的最小直流电流增益（hFE）达到300，意味着在较小的输入基极电流下，能够驱动较大的集电极电流。这一特性使得该晶体管在放大和驱动应用中表现出色，能够有效提高电路的转换效率。
高工作频率： 此设备的跃迁频率为135MHz，适合于需要快速开关和频率响应的应用场景。这一特性使其在高频通信和无线电频率（RF）应用中占有一席之地。
宽工作温度范围： FMMT625TA 的工作温度范围从-55°C 到 150°C，使得其适用于严苛的环境条件。这种广泛的温度适应性，确保了其在工业和汽车应用中的可靠性。
低功耗与高稳定性： 此晶体管具有非常低的集电极截止电流（100nA），在待机状态下极大地降低了功耗。此外，在不同的集电极电流（Ic）和集射极电压（Vce）条件下保持稳定的性能，这使得它适合用于低功耗设备和电池供电的应用。
表面贴装设计： 采用SOT-23封装，支持表面贴装技术（SMT），便于集成到自动化生产线中，提高生产效率和减少装配空间需求。这种小型封装适合各种紧凑设计的电子电路。
结论
FMMT625TA NPN 晶体管凭借其高效率、高增益、低功耗及广泛的工作温度范围，成为了许多现代电子设备的理想选择。无论是在消费电子、通信设备，还是在工业控制系统中，FMMT625TA 都以其卓越的性能和可靠性赢得了设计工程师的青睐。随着科技的不断进步，对高性能电子元器件的需求日益增加，FMMT625TA 的市场前景非常广阔。通过合理的设计与选型，这款晶体管能够为各种电子应用提供强有力的支持。