晶体管类型 | PNP | 集电极电流Ic | 1A |
集射极击穿电压Vce | 100V | 额定功率 | 500mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 50mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 500mA,5V | 功率 - 最大值 | 500mW |
频率 - 跃迁 | 50MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
FMMT593TA 是一款来自 DIODES (美台) 的 PNP 型晶体管,采用 SOT-23-3 封装,具有出色的电气性能和广泛的应用适用性。该产品专为需要良好增益和较低饱和压降的电子电路设计,尤其适用于低功耗和高频率工作环境。
该晶体管具有高达 50MHz 的频率跃迁特性,适合用于高频应用,比如射频放大器、开关电源和音频电路等,这些应用对瞬态响应和频率特性有较高要求。
FMMT593TA 广泛应用于各种电子设备,包括但不限于:
FMMT593TA 使用 SOT-23-3 封装,这种表面贴装型设计使得其在PCB上的布局更加紧凑,适合现代小型化电子产品。同时,该封装提供了良好的散热性能,保证了在高频和高功率应用中的稳定工作。
FMMT593TA 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,具备出色的环境适应性。这一广泛的工作温度范围使得该晶体管能够在各种苛刻的环境条件下稳定工作,适合工业、汽车以及航空航天等领域的需求。
综上所述,FMMT593TA 是一款高性能的 PNP 晶体管,具有较小的封装体积和优异的电气特性,适用于多种电子应用。凭借其高增益、低饱和压降和宽工作温度范围,FMMT593TA 将成为设计工程师和电子设备制造商的理想选择。