反向恢复时间(trr) | 25ns | 直流反向耐压(Vr) | 200V |
平均整流电流(Io) | 3A | 正向压降(Vf) | 900mV @ 3A |
二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 200V |
电流 - 平均整流 (Io) | 3A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 3A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 25ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10µA @ 200V | 不同 Vr、F 时电容 | 45pF @ 4V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-214AB,SMC |
供应商器件封装 | SMC | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
ES3D-13-F 是一种高效率快恢复二极管,采用了标准的表面贴装型封装(DO-214AB/SMC),结合了优秀的电气特性和宽广的工作温度范围。这款二极管主要用于电源管理、开关电源、整流应用以及其他需要高效能与可靠性的电子产品中。作为美台品牌 DIODES 的一员,ES3D-13-F 保证了卓越的产品质量和性能。
ES3D-13-F 的反向恢复时间(trr)仅为 25 ns,这使得此二极管非常适合于高频率应用,能够有效降低开关损耗。此外,其最大直流反向耐压(Vr)为 200 V,意味着它能够承受高达 200 V 的高电压,确保在高压环境下工作的安全性和可靠性。
该二极管的平均整流电流(Io)达到 3 A,这使其能够在各种应用中提供强劲的电流支持。同时,900 mV 的正向压降(Vf)在 3 A 时保持在一个合理范围内,可有效提高电路的效率,减少能量损耗。
在 200 V 的情况下,ES3D-13-F 的反向泄漏电流仅为 10 µA,这一特性对于高压应用中避免能量浪费至关重要。电容特性显示,电容值为 45 pF @ 4 V,1 MHz,表明其在高频应用时的性能优越,能够有效减少高频信号的失真。
ES3D-13-F 采用 SMC 封装,这种封装方式非常适合现代电子产品的表面贴装需求。SMC 封装能够支持更高的功率密度和散热效率,同时又保持较小的尺寸,便利于集成化设计。其安装类型为表面贴装型,适合于自动化生产线的装配工艺。
该产品的工作结温范围为 -55°C 到 150°C,这使得它在极端温度环境下依然能够正常工作,适用于航空、军用、汽车等要求严格的应用场合。
ES3D-13-F 的特性决定了它在多个领域的广泛应用:
总体而言,ES3D-13-F 是一款具备高效能、宽广操作温度和优良快恢复特性的二极管,理想地适用于高频率和高压应用。在现在快速发展的电子产品市场中,其出色的性能能够满足各种应用需求,尤其在电力管理和自动化领域具有广泛的应用前景。由于其可靠性及品质,不仅可为设计者提供高效的解决方案,也为最终产品的性能增添保障。