安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 | 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
在现代电子应用中,晶体管作为一种重要的半导体器件,在信号放大和开关电路中发挥着不可或缺的作用。ROHM(罗姆)公司推出的EMH11T2R数字晶体管正是一款集成了两枚NPN晶体管的预偏压式元件,专为便捷的电路设计而生。它的型号充分体现了其在尺寸、功率和电流处理方面的特点,尤其适合于各种数字电路和低功耗应用。
EMH11T2R晶体管采用表面贴装型(SMD)安装类型,便于自动化焊接和组装。其封装为EMT6,尺寸小巧,适合于空间受限的应用环境,能够最大程度上节省电路板面积。该器件的额定最大集电极电流(Ic)为100mA,这使其能够支持相对较大的负载,同时在集电极截止电流(最大值500nA)条件下,确保了其在关闭状态下的低泄漏电流表现,增强了系统的稳定性与可靠性。
EMH11T2R在电源电压方面的处理能力同样出色,最大集射极击穿电压为50V,适合用于多种电源和信号电压环境中,极大的拓宽了其应用范围。此外,该晶体管在不同基极与集电极的电流条件下,其饱和压降(Vce)仅为300mV(在500µA和10mA时),这对提升器件效率和稳定性有益。
EMH11T2R在DC电流增益(hFE)方面,具有良好的性能表现:在5mA、5V的工作条件下,其增益的最小值为30。这意味着在较小的基极电流下,能够驱动较大的集电极电流,增强了电路的响应速度和效率。而其跃迁频率达到250MHz,这使得EMH11T2R能够在高频应用中保持出色的性能,适合用于高速开关、RF信号处理等领域。
在功率方面,EMH11T2R的最大功率处理能力为150mW,这对于常见的数字电路应用来说,是一个理想的参数。通过合理的功率设计,可以在不超出最大功率的情况下实现各种功能,从而提升系统的整体能效。此外,配备10kΩ的基极电阻(R1)和发射极电阻(R2),它能够帮助实现稳定的偏置电流,从而提高了设备的线性和稳定性表现。
基于以上性能,EMH11T2R在多个电子应用中表现出色,特别适用于无线通信、可穿戴设备、工业控制、音频信号处理以及各种低功耗数字电路。这款晶体管的预偏压特性,使其在需要简化设计和降低元件数量的场合,成为一个理想的选择,能够有效提高设计效率。
EMH11T2R数字晶体管凭借其小巧的封装、出色的电流和频率特性,加上始终保持的高效能,为现代电子设计提供了强有力的支持。随着科技的进步和对智能化产品需求的增加,EMH11T2R将继续在各类电子设备中发挥重要作用,助力设计工程师实现更复杂、更高效的系统解决方案。无论是在研发新设备还是在改进现有电路,EMH11T2R都是实现高效能电路设计的不二选择。