DTC143ZUAT106
DTC143ZUAT106参数
| 额定功率 | 200mW | 集射极击穿电压Vce | 50V |
| 集电极电流Ic | 100mA | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 250µA，5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 | 供应商器件封装 | UMT3 |
DTC143ZUAT106手册
DTC143ZUAT106概述
产品概述：DTC143ZUAT106
DTC143ZUAT106 是一款高性能的 NPN 型数字晶体管，主要由日本知名电子元器件制造商 ROHM（罗姆）生产。该晶体管采用了先进的表面贴装技术（SMD），符合现代电子产品对于小型化和高效能的需求。
基本参数
- 额定功率：200mW
- 集射极击穿电压 (Vce)：50V
- 集电极电流 (Ic)：100mA
- 电流 - 集电极截止 (最大值)：500nA
- Vce 饱和压降 (最大值)：300mV @ 250µA，5mA
- 频率 - 跃迁：250MHz
- 集电极电流 (最小值)：80 @ 10mA，5V
设计与结构
DTC143ZUAT106 采用 SC-70 或 SOT-323 封装，提供紧凑的结构设计，适用于空间受限的应用场合。该封装尺寸小，能够帮助设计工程师在板级布局设计时节省空间，并且适合于各种表面贴装生产流程（SMT）。同时，ROHM 的 UMT3 供应商器件封装能够确保良好的热导特性和电气性能。
工作原理
DTC143ZUAT106 作为 NPN 预偏置晶体管，结构上采用了正向偏置配置，能够有效调节电流，并广泛应用于开关和放大电路。在电信号处理、数据传输、驱动 LED 等领域中都表现出色。该晶体管的 DC 电流增益 (hFE) 可达到最小值 80，使其在低电流驱动条件下仍能保持良好的性能。
应用场合
消费电子：由于它的小型封装和高频特性，DTC143ZUAT106 特别适用于手机、平板电脑等消费电子产品中的信号放大和开关控制电路。
通信设备：在射频放大器、调制解调器等通信设备中，该晶体管的高频响应能力使其成为信号传输中不可或缺的组件。
LED 驱动：此晶体管可以用于 LED 控制电路，提供稳定的开关和调光功能。
工业控制：在工业自动化设备中，DTC143ZUAT106 可用于传感器信号放大和电机控制，提升系统的准确性和稳定性。
可靠性与制造标准
ROHM 在原材料的选择和生产过程中遵循国际电工委员会（IEC）和其他相关标准，以确保其元器件在极端环境下的可靠性和稳定性。DTC143ZUAT106 将使用环境包括温度范围（-40°C 至 +85°C）及高湿度等环境应用中均能确保稳定工作。
结论
DTC143ZUAT106 是一款综合性能优异的 NPN 预偏置数字晶体管，具有便于安装的特征和高效的电流放大能力。它以其优越的电气特性和小巧的封装设计，成为现代电子产品中不可或缺的组成部分。无论是在消费电子、通信设备或是工业控制领域，DTC143ZUAT106 都能够提供可靠的性能，助力电子产品在小型化和高效能方面的不断探索。