额定功率 | 150mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 | 供应商器件封装 | EMT3 |
DTC123JETL 是一款高性能的数字晶体管,由知名电子元器件制造商 ROHM(罗姆)生产。该器件在数字电路和开关应用中表现优异,特别适合那些对功耗、有源控制和信号处理要求较高的应用场景。本文将从其主要参数、工作特性、应用领域与优势等方面进行详细解析。
DTC123JETL 是一款 NPN 型数字晶体管,具备以下主要参数:
该器件的设计有助于降低功耗并提高电路的效率,使其成为多种电子应用的理想选择。
DTC123JETL 在具体工作条件下展现出优异的性能。在集电极电流 (Ic) 为100mA 的情况下,能够稳定工作,其饱和压降较低,这意味着在开关操作时,器件的热量和功耗都能得到有效控制。此外,其较高的 DC 电流增益 (hFE) 提供了足够的放大性能,使此器件能很好地驱动负载。
该器件的最大集电极截止电流为500nA,展示出良好的开关特性,尤其适合需要低功耗待机状态的设计。有助于降低设备在待机状态下的功耗,提升整体能效。
DTC123JETL 可以广泛应用于多种电子设备中,包括:
其表面贴装型的设计非常适合现代的电子产品,尤其是在空间受限的情况下,提供了更大的设计灵活性。
选择 DTC123JETL 的优势包括:
作为一款高性能的数字晶体管,DTC123JETL 结合了高功率管理能力、优良的电性能和可靠的工作特性,充分体现了现代电子元器件的设计理念。无论是在日常消费电子、工业控制还是智能设备中,该产品都能够提供理想的解决方案,助力设计者实现高效、低功耗的电子系统。